[发明专利]一种智能功率MOSFET逆变模块

权利要求书

1.一种智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于，所述MOSFET逆变模块至少包括：印制电路板、陶瓷覆铜板、MOSFET芯片、第一连接线、第二连接线以及塑封件；

所述印制电路板上设置有驱动电路和用于外接的焊盘；

所述陶瓷覆铜板表面具有线路图案；

所述MOSFET芯片固定在所述陶瓷覆铜板表面，所述MOSFET芯片通过所述第一连接线与所述焊盘相连，所述MOSFET芯片通过所述第二连接线与所述线路图案相连，所述MOSFET芯片与所述线路图案构成三相逆变电路；

所述塑封件灌封所述印制电路板、陶瓷覆铜板、MOSFET芯片、第一连接线以及第二连接线；

所述MOSFET逆变模块还包括多个金属端子，所述金属端子与所述线路图案以及印制电路板直接电连，所述金属端子的一端灌封在所述塑封件中，且所述金属端子设置于所述MOSFET逆变模块的同一侧。

2.根据权利要求1所述的智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于：所述驱动电路包括印制在所述印制电路板中的6路MOSFET驱动线路和焊接在所述印制电路板上且与所述MOSFET驱动线路相连的电子元器件。

3.根据权利要求2所述的智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于：所述电子元器件为电阻、电容、电感或者晶体管中的一种或者多种的组合。

4.根据权利要求1所述的智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于：所述陶瓷覆铜板包括陶瓷层以及分别制备在所述陶瓷层正面和背面的铜层，所述MOSFET芯片固定在所述正面的铜层表面，所述正面的铜层具有线路图案。

5.根据权利要求4所述的智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于：采用蚀刻技术将所述正面的铜层蚀刻形成线路图案。

6.根据权利要求1所述的智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于：所述MOSFET芯片通过焊料固定在所述陶瓷覆铜板表面。

7.根据权利要求1所述的智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于：采用超声键合工艺将所述第一连接线的一端与所述MOSFET芯片相连、另一端与所述焊盘相连；同时采用超声键合工艺将所述第二连接线的一端与所述MOSFET芯片相连、另一端与所述线路图案相连。

8.根据权利要求1所述的智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于：所述第一连接线和第二连接线为铝丝。

9.根据权利要求1所述的智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于：所述MOSFET逆变模块包括6个MOSFET芯片，所述6个MOSFET芯片呈两行交叉排列。