[发明专利]孔洞图形的形成方法及具有孔洞图形的半导体结构

权利要求书

1.一种孔洞图形的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一半导体基底，并于所述半导体基底上形成一层正性的光刻胶层；

2)采用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，以在所述光刻胶内层形成第一曝光区，所述第一曝光区包括间隔排布的第一曝光单元以及位于相邻所述第一曝光单元之间且顺着第一方向延伸的第一非曝光单元；

3)采用第二掩膜版对所述光刻胶层进行第二次曝光，以在所述光刻胶层内形成第二曝光区，重迭于所述第一曝光区，所述第二曝光区包括间隔排布的第二曝光单元以及位于相邻所述第二曝光单元之间且顺着第二方向延伸的第二非曝光单元，其中，所述第二非曝光单元与所述第一非曝光单元形成至少一个非曝光相交叉区域，所述相交叉区域形成孔洞区域；以及

4)使用负性显影方式去除所述孔洞区域对应的所述光刻胶层，以得到具有孔洞图形的光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的孔洞图形的形成方法，其特征在于，所述第一非曝光单元的延伸方向与一X轴设定方向之间具有第一倾角，所述第二非曝光单元的延伸方向与所述设定方向具有第二倾角，所述第一倾角与所述第二倾角相对于所述设定方向分别形成有逆顺时钟不同方向的锐角旋转角度。

3.根据权利要求1所述的孔洞图形的形成方法，其特征在于，所述第一非曝光单元相互平行且等间距排布，所述第二非曝光单元相互平行且等间距排布。

4.根据权利要求3所述的孔洞图形的形成方法，其特征在于，所述第一方向为Y轴直列方向，所述第二方向为X轴横行方向，使所述第一非曝光单元与所述第二非曝光单元相垂直。

5.根据权利要求1所述的孔洞图形的形成方法，其特征在于，相交叉的所述第一非曝光单元与所述第二非曝光单元之间的夹角介于15°～90°之间。

6.根据权利要求1所述的孔洞图形的形成方法，其特征在于，所述第一非曝光单元的宽度为38～60nm，所述第二非曝光单元的宽度为38～60nm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的孔洞图形的形成方法，其特征在于，还包括以所述具有孔洞图形的光刻胶层为掩膜对所述半导体基底进行刻蚀，以于所述半导体基底的内部或上层牺牲层中形成通孔的步骤。

8.根据权利要求7所述的孔洞图形的形成方法，其特征在于，还包括于所述通孔内填充导电层以形成电连接通孔或者电容下电极的步骤。

9.根据权利要求8所述的孔洞图形的形成方法，其特征在于，所述半导体基底包括器件结构层以及形成于所述器件结构层表面的介质层，所述器件结构层内设置有晶体管，所述晶体管具有源极，所述通孔形成于所述介质层内，还包括步骤：

去除剩余的所述具有孔洞图形的光刻胶层，并于所述介质层上形成一电容器结构，所述电容器结构通过所述导电层与所述晶体管的源极电连接。

10.一种具有孔洞图形的半导体结构，其特征在于，包括：

半导体基底；

正性光刻胶层，形成于所述半导体基底上，所述光刻胶层具有第一曝光区，且所述第一曝光区包括间隔排布的第一曝光单元以及位于相邻所述第一曝光单元之间且顺着第一方向延伸的的第一非曝光单元，所述光刻胶层还具有第二曝光区，重迭于所述第一曝光区，所述第二曝光区包括间隔排布的第二曝光单元以及位于相邻所述第二曝光单元之间且顺着第二方向延伸的的第二非曝光单元；以及

其中，所述第二非曝光单元与所述第一非曝光单元形成有至少一个非曝光相交叉区域，且所述相交叉区域对应的光刻胶层用于以负性显影方式被去除以形成孔洞图形。

11.根据权利要求10所述的具有孔洞图形的半导体结构，其特征在于，所述半导体基底包括器件结构层以及形成于所述器件结构层表面的介质层，所述光刻胶层用于作为掩膜对所述介质层进行刻蚀，以于所述介质层内形成与所述孔洞图形对应的通孔。

12.根据权利要求10或11所述的具有孔洞图形的半导体结构，其特征在于，所述器件结构层内设置有晶体管，所述晶体管具有源极，所述通孔内填充有导电层，所述导电层与所述晶体管的源极电连接以将所述源极引出。