[发明专利]一种非对称形状的氮化硅偏振分束器及其制备方法

权利要求书

1.一种非对称形状的氮化硅偏振分束器，适用于800纳米至820纳米光波段，其特征在于：包括不同宽度和厚度的第一氮化硅波导和第二氮化硅波导，第一氮化硅波导、第二氮化硅波导相对设置。

2.根据权利要求1所述的非对称形状的氮化硅偏振分束器，其特征在于：所述第一氮化硅波导和第二氮化硅波导的衬底为二氧化硅，覆盖层为空气或二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的非对称形状的氮化硅偏振分束器，其特征在于：第一氮化硅波导的厚度在297至303纳米之间，宽度在425至435纳米之间；第二氮化硅波导的厚度在197至203纳米之间，宽度在645至655纳米之间。

4.根据权利要求1所述的非对称形状的氮化硅偏振分束器，其特征在于：所述第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括有呈直线状的耦合波导和与耦合波导两端连接的弯曲波导，第一氮化硅波导的耦合波导和第二氮化硅波导的耦合波导之间呈平行设置，耦合波导之间留有间距。

5.根据权利要求4所述的非对称形状的氮化硅偏振分束器，其特征在于：所述第一氮化硅波导和第二氮化硅波导的弯曲波导均呈S状。

6.根据权利要求4所述的非对称形状的氮化硅偏振分束器，其特征在于：所述第一氮化硅波导的耦合波导和第二氮化硅波导的耦合波导等长，第一氮化硅波导的耦合波导和第二氮化硅波导的耦合波导的长度范围为40~60微米。

7.根据权利要求4所述的非对称形状的氮化硅偏振分束器，其特征在于：所述第一氮化硅波导的耦合波导和第二氮化硅波导的耦合波导之间的间距为180~210纳米。

8.一种根据权利要求1~7任一项所述非对称形状的氮化硅偏振分束器的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：

S1.在衬底上沉积氮化硅，沉积的氮化硅的厚度与第一氮化硅波导的厚度一致；

S2.利用电子束光刻技术确定第二氮化硅波导的形状，使用反应离子刻蚀技术对氮化硅上与第二氮化硅波导所对应的位置进行刻蚀，刻蚀掉（n-m）厚度的氮化硅，其n、m分别为第一氮化硅波导和第二氮化硅波导的厚度；

S3.运用电子束光刻和反应离子刻蚀技术，得到第一氮化硅波导和第二氮化硅波导。