[发明专利]一种高光效P型非极性AlN薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高光效P型非极性AlN薄膜，包括M面蓝宝石衬底层、非极性ZnO薄膜层、Ag纳米粒子层、非极性P-AlN薄膜层、P-AlN盖帽层、Pt纳米粒子层，所述的M面蓝宝石衬底层上生长有非极性ZnO薄膜层，所述的非极性ZnO薄膜层上端生长有Ag纳米粒子层，所述的Ag纳米粒子层上端生长有非极性P-AlN薄膜层，所述的非极性P-AlN薄膜层上端设置有P-AlN盖帽层，所述P-AlN盖帽层上端溅射有Pt纳米粒子层，其中，所述的P-AlN盖帽层采用Mg、F共掺杂得到。

2.根据权利要求1所述的一种高光效P型非极性AlN薄膜，其特征在于：所述的非极性ZnO薄膜层的厚度为30-200nm。

3.根据权利要求1所述的一种高光效P型非极性AlN薄膜，其特征在于：所述的Ag纳米粒子层的厚度为8-12nm。

4.根据权利要求1所述的一种高光效P型非极性AlN薄膜，其特征在于：所述非极性P-AlN薄膜层的厚度为300-800nm。

5.根据权利要求1所述的一种高光效P型非极性AlN薄膜，其特征在于：所述P-AlN盖帽层的厚度为20-50nm。

6.根据权利要求1所述的一种高光效P型非极性AlN薄膜，其特征在于：所述Pt纳米粒子层的Pt纳米粒子的直径为2-30nm。

7.根据权利要求1所述的一种高光效P型非极性AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1)、通过使用PECVD在M面蓝宝石衬底层上生长非极性ZnO薄膜层，所述的非极性ZnO薄膜层的厚度为30-200nm；

S2)、然后在非极性ZnO薄膜层上外延一层Ag膜，然后在850℃快速退火1-2min，得到Ag纳米粒子层，所述的Ag纳米粒子层的厚度为8-12nm；

S3)、将上述材料转移至MOCVD中，并在Ag纳米粒子层上，在700-1100℃生产条件下，生长非极性P-AlN薄膜层，所述非极性P-AlN薄膜层的厚度为300-800nm，然后采用Mg、F共掺杂非极性P-AlN薄膜层，得到P-AlN盖帽层，所述P-AlN盖帽层的厚度为20-50nm；

S4)、重掺杂生长结束后，在P-AlN盖帽层上溅射8-15nm的Pt膜，在750-950℃下，快速退火30-100s，得到Pt纳米粒子层，所述的Pt纳米粒子的直径为2-30nm。