[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201711066490.5 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN108022861B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 五师源太郎;江头佳祐;川渕洋介;清濑浩巳;增住拓朗;大野广基;束野宪人;丸本洋;北山将太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种基板处理装置,使用超临界状态的处理流体来使在表面附着有液体的基板干燥,所述基板处理装置具备:
处理容器;
基板保持部,其在所述处理容器内将所述基板以所述表面朝上的方式水平保持;
第一流体供给部,其被设置于被所述基板保持部保持的基板的下方,供给被加压后的处理流体;
第二流体供给部,其被设置于被所述基板保持部保持的所述基板的侧方,供给被加压后的处理流体;
流体排出部,其从所述处理容器排出处理流体;以及
控制部,其对所述第一流体供给部、所述第二流体供给部及所述流体排出部的动作进行控制,
其中,所述控制部使所述基板处理装置实施以下工序:
升压工序,在将在所述表面附着有液体的所述基板容纳于所述处理容器之后,向所述处理容器供给被加压后的处理流体,来使所述处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力;以及
流通工序,在所述升压工序之后,在所述处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力,并且一边向所述处理容器供给处理流体一边从所述处理容器排出处理流体,其中,所述流通工序通过交替地重复降压阶段和升压阶段来进行,
在所述升压工序中,停止从所述第二流体供给部供给所述处理流体,使所述第一流体供给部向所述处理容器内供给所述处理流体,直到至少所述处理容器内的压力达到所述处理流体的临界压力为止,
在所述流通工序中,使所述第二流体供给部向所述处理容器内供给处理流体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述升压工序中,在从开始向所述处理容器内供给所述处理流体起直到所述处理容器内的压力经过所述临界压力达到所述处理压力为止的期间,所述控制部停止从所述第二流体供给部供给所述处理流体,使所述第一流体供给部向所述处理容器内供给处理流体。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述升压工序中,在从开始向所述处理容器内供给所述处理流体起直到所述处理容器内的压力达到所述处理流体的临界压力为止的期间,所述控制部停止从所述第二流体供给部供给所述处理流体,使所述第一流体供给部向所述处理容器内供给处理流体,
在所述处理容器内的压力达到所述处理流体的临界压力后达到所述处理压力为止的期间,所述控制部停止从所述第一流体供给部供给所述处理流体,使所述第二流体供给部向所述处理容器内供给处理流体,或者使所述第一流体供给部和所述第二流体供给部这两者向所述处理容器内供给处理流体。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一流体供给部被设置为从被所述基板保持部保持的所述基板的中央部的下方朝向所述基板的中央部供给处理流体。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二流体供给部被设置为从所述基板的侧方沿大致水平方向供给处理流体。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二流体供给部被设置为从所述基板的侧方且比所述基板的上表面高的位置与所述基板平行地供给处理流体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造