[发明专利]一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法

权利要求书

1.一种多晶硅生产方法，其特征在于，利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅，所述多晶硅生产方法包括：

从所述还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料；

调节所述氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为1:0.03～0.2:0.05～0.3以得到混合料；

使氢气与所述混合料接触并发生还原反应，氢气与气态的所述混合料是按照1:3～10的预设摩尔比接触的，且所述预设摩尔比是：气态的所述混合料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的总摩尔量与氢气的摩尔量之比。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述混合料是以气态的形式为提供的。

3.根据权利要求2所述的多晶硅生产方法，其特征在于，使氢气与气态的所述混合料接触之前，对气态的所述混合料进行纯化处理，以除去所述混合料中的金属元素、硼元素、磷元素以及碳元素。

4.根据权利要求3所述的多晶硅生产方法，其特征在于，对气态的所述混合料进行纯化处理的方法是：以树脂作为吸附剂与气态的所述混合料接触，以吸附金属元素、硼元素、磷元素以及碳元素的单质、化合物。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的多晶硅生产方法，其特征在于，在使氢气与气态的所述混合料接触时，气态的所述混合料的温度为400～450℃。

6.根据权利要求5所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述气态的所述混合料的温度为420～446℃。

7.根据权利要求2～4中任一项所述的多晶硅生产方法，其特征在于，氢气与气态的所述混合料是在还原炉内接触并发生还原反应的，且气态的所述混合料是从所述还原炉的底部被注入的。

8.根据权利要求7所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述还原炉内的温度为1000～1200℃。

9.根据权利要求2所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述预设摩尔比是1:4～8。

10.一种多晶硅生产原料，其特征在于，所述多晶硅生产原料被用于作为通过三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的工艺中的硅源物料，所述多晶硅生产原料含有摩尔配为1:0.03～0.2:0.05～0.3的三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅。