[发明专利]一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法有效
申请号: | 201711067628.3 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107858734B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 李国华;吴世照;马超胜;周浩;刘书杰 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26 |
代理公司: | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人: | 黄美娟;朱思兰 |
地址: | 310014 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属钨 三氧化钨薄膜 电化学 制备介孔 电解液 预处理 发明制备工艺 介孔三氧化钨 阳极氧化电压 阴极 工业化应用 阳极 基底结合 介孔结构 阳极氧化 恒电位 铂片 钛片 薄膜 清洗 取出 应用 | ||
1.一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述方法为:
以经过预处理的金属钨为阳极,钛片或铂片为阴极,在电解液中,于温度为5~40℃、电压为3~15V的条件下进行恒电位阳极氧化1~7h,之后取出金属钨,清洗、干燥后即在金属钨表面制得一层介孔三氧化钨薄膜;
所述电解液由离子液体、去离子水、有机溶剂混合配制而成;其中,离子液体的体积分数为0.6~1.6%、去离子水的体积分数为5~25%,余量为有机溶剂;
所述有机溶剂为乙二醇或丙三醇;
所述离子液体选自下列之一:1-乙基-3甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3甲基咪唑四氟硼酸盐、1-己基-3甲基咪唑四氟硼酸盐。
2.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述金属钨为厚度0.05~1mm的金属钨片。
3.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述金属钨的预处理方法为:将金属钨分别在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗去除表面油脂,最后再用去离子水冲洗,烘干即完成预处理。
4.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述阴极与阳极的电极间距为1~5cm。
5.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述阳极氧化的温度为25℃。
6.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述阳极氧化的电压为5~10V。
7.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述阳极氧化的时间为3h。
8.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述电解液中离子液体的体积分数为1%。
9.如权利要求1所述的制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法,其特征在于,所述电解液中去离子水的体积分数为15%。
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