[发明专利]超宽带低噪声放大器

权利要求书

1.一种超宽带低噪声放大器，采用两级级联结构，第一级放大电路A1包含以电阻为负载的基本共源极电路，第二级放大电路A2采用并联峰值结构的基本共源极电路，包括第二放大管M2、第二偏置电阻R3、第二负载电阻R4及并联峰值电感L1，两级之间信号利用电容耦合，其特征在于：

第一级放大电路A1，包括第一放大管M1、二极管连接的反馈MOS管M3、偏置MOS管M4、第一偏置电阻R1、第一负载电阻R2、第三偏置电阻R5及反馈耦合电容C2，反馈MOS管M3和反馈耦合电容C2组成串联电路，连接在第一放大管M1的栅极与漏极之间，用以提供宽带的匹配和提高线性度，反馈MOS管M3的源极与偏置MOS管M4的漏极连接，偏置MOS管M4的源极连接到地，用以为反馈MOS管M3提供偏置电流；

第一放大管M1的栅极与第二放大管M2的漏极之间连接有辅助跨导放大器G，用于部分或全部消除由第一放大管M1、偏置MOS管M4及第一负载电阻R2的噪声，提高超宽带低噪声放大器整体的噪声性能。

2.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于反馈MOS管M3采用NMOS管。

3.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于反馈MOS管M3、偏置MOS管M4和第一放大管M1的沟道长度，均使用CMOS生产工艺中规定的最小尺寸，以减小寄生电容，改善频率特性和匹配性能。

4.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于偏置MOS管M4的栅极通过第三偏置电阻R5接至电流源的偏置电压vb2，用来减小偏置MOS管M4的栅漏寄生电容对输入匹配的影响。

5.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于第一放大管M1的栅极连接第一偏置电阻R1的一端，R1的另一端连接至第一级放大电路的偏置电压vb1；第一放大管M1的漏极连接第一负载电阻R2的一端，R2的另一端连接到电源vdd；第一放大管M1的源极接地。

6.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于第二放大管M2的栅极接第二偏置电阻R3的一端，R3的另一端接第二级放大电路偏置电压vb3；第二放大管M2的漏极接第二负载电阻R4的一端，R4的另一端接并联峰值电感L1的一端，L1的另一端接电源vdd；第二放大管M2的源极接地。