[发明专利]高压金属氧化物半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压金属氧化物半导体元件，其特征在于，形成于一半导体基板，其中该半导体基板于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面，该高压金属氧化物半导体元件包含：

一阱区，具有一第一导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方并连接于该上表面；

一漂移区，具有一第二导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方并连接于该上表面，且该漂移区完全位于该阱区上，且于一横向上，该漂移区与该阱区连接；

一栅极，于该纵向上，形成于该上表面上，且部分该栅极堆叠并连接部分该阱区的正上方，且该栅极另一部分堆叠并连接部分该漂移区的正上方；

一源极，具有该第二导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方并接触于该上表面，于该横向上邻接于该阱区，且该源极连接于该栅极的一第一侧下方；

一漏极，具有该第二导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方并接触于该上表面，且于该横向上邻接于该漂移区，与该源极由该阱区以及该漂移区隔开，且于该横向上，该漏极位于该栅极的一第二侧外，与该源极位于该栅极的不同侧；

多个埋柱，具有该第一导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方一预设距离之下，并不接触于该上表面，且该漂移区包围每一埋柱的至少一部分，使该多个埋柱与该漂移区交错排列；以及

一深阱区，具有该第一导电型，于该纵向上，形成于该阱区与该漂移区之下，且该深阱区与该多个埋柱连接。

2.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，两相邻的该埋柱与其间隔中的该漂移区，于一不导通操作时，完全耗尽。

3.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该预设距离d大于0.1微米。

4.一种高压金属氧化物半导体元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一半导体基板，于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面；

形成一阱区于该上表面下方并连接于该上表面，该阱区具有一第一导电型；

形成一漂移区于该上表面下方并连接于该上表面，且该漂移区完全位于该阱区上，该漂移区具有一第二导电型，且于一横向上，该漂移区与该阱区连接；

形成一栅极于该上表面上，且部分该栅极堆叠并连接部分该阱区的正上方，且该栅极另一部分堆叠并连接部分该漂移区的正上方；

形成一源极于该上表面下方并接触于该上表面，该源极具有该第二导电型，且于该横向上邻接于该阱区，且该源极连接于该栅极的第一侧下方；

形成一漏极于该上表面下方并接触于该上表面，该漏极具有该第二导电型，且于该横向上邻接于该漂移区，且该漏极与该源极由该阱区以及该漂移区隔开，且于该横向上，该漏极位于该栅极的一第二侧外，与该源极位于该栅极的不同侧；

形成多个埋柱于该上表面下方一预设距离之下，并不接触于该上表面，该埋柱具有该第一导电型，且该漂移区包围每一埋柱的至少一部分，使该多个埋柱与该漂移区交错排列；以及

形成一深阱区于该阱区与该漂移区之下，该深阱区具有该第一导电型，且该深阱区与该多个埋柱连接。

5.如权利要求4所述的高压金属氧化物半导体元件制造方法，其中，两相邻的该埋柱与其间隔中的该漂移区，于一不导通操作时，完全耗尽。

6.如权利要求4所述的高压金属氧化物半导体元件制造方法，其中，该预设距离大于0.1微米。