[发明专利]用以形成半导体装置的方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种用以形成半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：

蚀刻一基板以界定一第一沟槽开口以及一第二沟槽开口；

在该第一沟槽开口中形成一第一多层电容器结构，其中该第一多层电容器结构的一顶表面与该基板的一顶表面呈平面，该第一多层电容器结构包括交替的N个介电层与N个导电层，其中N是整数；

在该第二沟槽开口中形成一第二多层电容器结构，其中该第二多层电容器结构的一顶表面是与该基板的该顶表面呈平面，该第二多层电容器结构包括交替的M个介电层与M个导电层，其中M是不同于N的整数；

沉积一接触孔蚀刻停止层于该基板的该顶表面上、该第一多层电容器结构的该顶表面上以及该第二多层电容器结构的该顶表面上；

沉积一层间介电层于该接触孔蚀刻停止层上方；

形成一第一接触插塞穿过该层间介电层，以电性连接至该第一多层电容器结构内的一第一导电层；以及

形成一第二接触插塞穿过该层间介电层，以电性连接至该第一多层电容器结构内的一第二导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一多层电容器结构以及该第二多层电容器结构中的各该导电层的厚度为相邻的该介电层的厚度的6倍至8倍。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括形成一第三接触插塞穿过该层间介电层，其中该第三接触插塞是电性连接至该第二多层电容器结构中的一第一导电层。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第一沟槽开口具有的深宽比至少为10。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第一多层电容器结构以及该第二多层电容器结构中的各该导电层的厚度为至的厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其中该第一多层电容器结构以及该第二多层电容器结构中的各该介电层的介电常数为至少7。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：形成一第四接触插塞穿过该层间介电层与该基板电性连接。

8.如权利要求1所述的方法，其中该接触孔蚀刻停止层为一二氧化硅层。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成一导电线，连接该第一接触插塞与该第二接触插塞。

10.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：

蚀刻一基板以界定该基板中的一第一沟槽开口，其中该第一沟槽开口在该基板内具有一第一深度；

蚀刻该基板以在该基板内界定一第二沟槽开口，其中该第二沟槽开口在该基板内具有不同于该第一深度的一第二深度；

在该第一沟槽开口中形成一第一多层电容器结构，其中该第一多层电容器结构的一顶表面与该基板的一顶表面呈平面，该第一多层电容器结构包括交替的N个介电层与N个导电层，其中N是整数；

在该第二沟槽开口中形成一第二多层电容器结构，其中该第二多层电容器结构的一顶表面是与该基板的该顶表面呈平面，该第二多层电容器结构包括交替的M个介电层与M个导电层，其中M是不同于N的整数；

沉积一接触孔蚀刻停止层于该基板的该顶表面、该第一多层电容器结构的该顶表面以及该第二多层电容器结构的该顶表面上；

沉积一层间介电层于该接触孔蚀刻停止层上；

形成一第一接触插塞穿过该层间介电层，以提供电性连接至该第一多层电容器结构中的一第一导电层；以及

形成一第二接触插塞穿过该层间介电层，以提供电性连接至该第一多层电容器结构中的一第二导电层。

11.如权利要求10所述的方法，其中蚀刻该基板以界定该第二沟槽开口包括在蚀刻该基板以界定该第一沟槽开口后，蚀刻该基板以界定该第二沟槽开口。

12.如权利要求10所述的方法，其中蚀刻该基板以界定该第二沟槽开口包括在蚀刻该基板以界定该第一沟槽开口的同时，蚀刻该基板以界定该第二沟槽开口。