[发明专利]一种MoS2

权利要求书

1.一种MoS₂陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤一，将MoS₂原料粉烘干过筛，得到粒度分布均匀、无结块的MoS₂粉末；

步骤二，将步骤一得到的所述MoS₂粉末均匀地填充到模具中，将所述模具放入热压炉中，在初始炉温状态下向所述模具加初始压力10-20MPa，同时所述热压炉内抽真空至5Pa以下，在真空条件下进行热压烧结，然后冷却、脱模，得到烧结坯；

所述热压烧结的最高烧结温度为1150-1350℃，最高烧结压力为35-38MPa，在最高烧结温度和最高烧结压力下保温保压1.5h-2.5h；

在所述热压烧结过程中，采用如下方式由初始炉温升温至所述最高烧结温度：

首先，由所述初始炉温升高至300-400℃，保温40-60min；

然后，继续升温至800-960℃，保温60-80min；

最后，直接升温至所述最高烧结温度1150-1350℃；

所述热压烧结的升温速率为：当加热温度在700℃以下时，所述升温速率为12-17℃/min；当加热温度高于700℃，所述升温速率为3-6℃/min；

在所述初始炉温升温至所述最高烧结温度的过程中，将所述初始压力线性增加至所述最高烧结压力；

步骤三，将步骤二得到的所述烧结坯进行机加工，得到符合尺寸和表面质量要求的所述MoS₂陶瓷靶材。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述MoS₂原料粉的费氏粒度为0.5-5μm。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述MoS₂原料粉选用市售天然法生产的工业级粉末，不改变天然辉钼矿中MoS₂的2H晶型及其物理化学性能，总纯度大于或等于99.5％。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤一中，首先将所述MoS₂原料粉在真空干燥箱中烘干，烘干温度为100-150℃，保温时间为1.5h-4h；然后将烘干后的粉末过150目震动筛，取筛下粉，得到松散、均匀分布的MoS₂粉末。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述模具为等静压石墨模具或炭炭模具。

6.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述冷却是指冷却至200℃以下。

7.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述机加工均是采用干式加工方式。