[发明专利]一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法在审
| 申请号： | 201711071283.9 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107910255A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王喜龙 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 界面 悬挂 键键合 方法 | ||
1.一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其特征在于，所述晶圆具有一键合界面，所述键合界面的硅原子具有悬挂键；
提供一第一反应腔体，用以放置所述晶圆；
包括以下步骤：
步骤S1、向所述第一反应腔体中通入氧气；
步骤S2、对通入的所述氧气进行解离以在所述键合界面形成一层氧离子层；
步骤S3、于所述氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构；
步骤S4、通过退火工艺对所述复合结构进行处理，使位于所述介电层与所述键合界面之间的所述离子层中的氧原子与所述悬挂键键合。
2.根据权利要求1所述的提高晶圆界面悬挂键键合的方法，其特征在于，通过物理气相沉积工艺于所述氧离子层上沉积形成所述介电层。
3.根据权利要求1所述的提高晶圆界面悬挂键键合的方法，其特征在于，通过化学气象沉积工艺于所述介电层上沉积形成所述保护层。
4.根据权利要求1所述的提高晶圆界面悬挂键键合的方法，其特征在于，所述介电层为HiK层。
5.根据权利要求1所述的提高晶圆界面悬挂键键合的方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的提高晶圆界面悬挂键键合的方法，其特征在于，提供一第二反应腔体，所述第二反应腔体中包括一加热装置；
将所述复合结构放置于所述第二反应腔体内，并调节所述加热装置以在所述第二反应腔体内形成一反应温度。
7.根据权利要求6所述的提高晶圆界面悬挂键键合的方法，其特征在于，所述反应温度的范围在350度-450度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
