[发明专利]一种导光隔离结构的制备方法及像素晶圆

权利要求书

1.一种导光隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一衬底，并采用一第一刻蚀工艺对所述衬底的上表面进行刻蚀；

步骤S2，采用一氧化工艺对刻蚀后的所述衬底的表面进行氧化，以于所述衬底的表面形成一氧化层；

步骤S3，采用一第二刻蚀工艺于所述衬底的上表面形成多个沟槽并去除所述氧化层；

步骤S4，于所述沟槽中填充隔离材料形成多个深槽隔离结构；

步骤S5，于所述深槽隔离结构以及所述衬底的上表面沉积一保护层；

其中，所述第二刻蚀工艺为光刻工艺。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述第一刻蚀工艺采用氢氟酸对所述衬底的上表面进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述氧化工艺采用过氧化氢于所述衬底的表面形成所述氧化层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化工艺的持续时间为50s～100s。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：

步骤S6中，对所述保护层进行减薄。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，采用化学机械研磨对所述保护层进行减薄。

7.一种像素晶圆，其特征在于，包括：

衬底，上表面制备有底部延伸至所述衬底内的多个深槽隔离结构；

保护层，覆盖所述深槽隔离结构以及所述衬底的上表面；

滤光层，形成于所述保护层的上表面，并且具有多个滤光单元，每个所述滤光单元与两个所述深槽隔离结构的中间对齐；

透镜，形成于每个所述滤光单元的上表面。

8.根据权利要求7所述的像素晶圆，其特征在于，所述衬底为硅衬底。