[发明专利]GOA电路有效

专利信息
申请号: 201711071463.7 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN107909971B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 吕晓文;陈仁禄 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: goa 电路
【权利要求书】:

1.一种GOA电路,其特征在于,包括:多级GOA单元,每一级GOA单元均包括:上拉控制模块(100)、输出模块(200)、下拉模块(300)、第一下拉维持模块(400);

设N为正整数,除第一级至第四级GOA单元和倒数第四级至最后一级GOA单元外,在第N级GOA单元中:

所述上拉控制模块(100)接入上四级第N-4级GOA单元的级传信号(ST(N-4))和第N-4级GOA单元的扫描信号(G(N-4)),并电性连接第一节点(Q(N)),用于根据第N-4级GOA单元的级传信号(ST(N-4))及第N-4级GOA单元的扫描信号(G(N-4))上拉第一节点(Q(N))的电位;所述输出模块(200)接入时钟信号(CK)并电性连接第一节点(Q(N)),用于在第一节点(Q(N))的电位控制下输出扫描信号(G(N))和级传信号(ST(N));所述下拉模块(300)接入下四级第N+4级GOA单元的扫描信号(G(N+4))和第二低电位信号(Vss2),并电性连接第一节点(Q(N)),用于根据第N+4级GOA单元的扫描信号(G(N+4))将第一节点(Q(N))的电位下拉至第二低电位信号(Vss2)的电位;所述第一下拉维持模块(400)接入扫描信号(G(N))、第一低电位信号(Vss1)、及第二低电位信号(Vss2),并电性连接第一节点(Q(N)),用于在第一节点(Q(N))的电位控制下将扫描信号(G(N))的电位维持在第一低电位信号(Vss1)的电位并将第一节点(Q(N))的电位维持在第二低电位信号(Vss2)的电位;

所述第一低电位信号(Vss1)的电位大于所述第二低电位信号(Vss2)的电位,所述第二低电位信号(Vss2)的电位大于时钟信号(CK)的低电位;

所述下拉模块(300)包括第四十一薄膜晶体管(T41),所述第四十一薄膜晶体管(T41)的栅极接入下四级第N+4级GOA单元的扫描信号(G(N+4)),源极接入第二低电位信号(Vss2),漏极电性连接第一节点(Q(N));

在除了第一级至第四级GOA单元以外的第N级GOA单元中还设有第四十四薄膜晶体管(T44),所述第四十四薄膜晶体管(T44)的栅极接入电路启动信号(STV),源极接入第二低电位信号(Vss2),漏极电性连接第一节点(Q(N))。

2.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述第一下拉维持模块(400)包括第三十二薄膜晶体管(T32)、第四十二薄膜晶体管(T42)、第五十一薄膜晶体管(T51)、第五十二薄膜晶体管(T52)、第五十三薄膜晶体管(T53)、及第五十四薄膜晶体管(T54);所述第三十二薄膜晶体管(T32)的栅极电性连接第二节点(P(N)),源极接入第一低电位信号(Vss1),漏极接入扫描信号(G(N));所述第四十二薄膜晶体管(T42)的栅极电性连接第二节点(P(N)),源极接入第二低电位信号(Vss2),漏极电性连接第一节点(Q(N));所述第五十一薄膜晶体管(T51)的栅极及源极均接入第一控制信号(LC1),漏极电性连接第五十三薄膜晶体管(T53)的栅极;所述第五十二薄膜晶体管(T52)的栅极电性连接第一节点(Q(N)),源极接入第二低电位信号(Vss2),漏极电性连接第五十一薄膜晶体管(T51)的漏极;所述第五十三薄膜晶体管(T53)的源极电性连接第五十一薄膜晶体管(T51)的源极,漏极电性连接第二节点(P(N));所述第五十四薄膜晶体管(T54)的栅极电性连接第一节点(Q(N)),源极接入第二低电位信号(Vss2),漏极电性连接第二节点(P(N))。

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