[发明专利]一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法

说明书

本分发明提供了一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其中，半导体结构包括一铝衬垫，铝衬垫的表面包括多个缺陷生成物；提供一等离子体刻蚀设备设备，等离子体刻蚀设备包括一反应腔体，半导体结构放置于反应腔体内；包括以下步骤：于反应腔体内形成等离子体，通过等离子体轰击铝衬垫的表面，以去除铝衬垫表面的缺陷生成物；于反应腔体内通入清洗气体，通过清洗气体对残留在铝衬垫表面的缺陷生成物进行清洗去除。其技术方案的有益效果在于，通过在反应腔体内对铝衬垫生成的缺陷生成物进行有效去除，进而可以避免器件在进行后续PID(系统电压耐受测试)以及bonding test(焊点推拉力测试)时会导致测试不合格要求返厂，增加报废率导致成本上升的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法。

背景技术

现有的半导体结构在制备形成铝衬垫时，由于在反应过程存在的众多的不确定因素，如反应气体以及反应腔体的空气中存在的水气等，这些因素的综合在一起，则会在半导体结构的铝铝衬垫的表面上形成铝的氧化物，如AlOxFx等，如不及时将这些铝衬垫的表面上的生成物去除，则会在铝衬垫的表面上形成缺陷，而这些缺陷是制程过程中不愿意看到的，在铝衬垫上出现一定缺陷生成物时，在对器件进行后续的PID（系统电压耐受测试）以及bonding test（焊点推拉力测试）时会导致测试不合格，因此亟需一种能够在形成铝衬垫的制程中有效去除因为制程工艺在铝衬垫的表面生成的缺陷生成物的方法。

发明内容

针对现有技术中由于在铝衬垫的表面上生成的氧化物导致铝衬垫缺陷存在的上述问题，现提供一种旨在有效的去除铝衬垫上出现的缺陷生成物，避免存在的缺陷生成物导致铝衬垫进行焊点推拉力测试以及系统电压耐受测试出现不合格的问题的方法。

具体技术方案如下：

一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，提供一半导体结构，所述半导体结构包括一铝衬垫，所述铝衬垫的表面包括多个缺陷生成物；

提供一等离子体刻蚀设备设备，所述等离子体刻蚀设备包括一反应腔体，所述半导体结构放置于所述反应腔体内；

包括以下步骤：

步骤S1、于所述反应腔体内形成等离子体，通过所述等离子体轰击所述铝衬垫的表面，以去除所述铝衬垫表面的所述缺陷生成物；

步骤S2、于所述反应腔体内通入清洗气体，通过所述清洗气体对残留在所述铝衬垫表面的所述缺陷生成物进行清洗去除。

优选的，在所述步骤S1中，形成所述等离子体对所述铝衬垫的表面进行轰击的方法包括：

步骤S11、于所述反应腔体内通入多种反应气体；

步骤S12、使所述反应腔体内形成一第一高压环境；

步骤S13、调节所述等离子体刻蚀设备的射频功率至第一射频功率；

步骤S14、所述多种反应气体在所述反应腔体内形成所述等离子，以轰击所述铝衬垫的表面的缺陷生成物；

步骤S15、使所述等离子体轰击过程维持一第一预定时间后结束，并执行步骤S2。

优选的，通的所述多种反应气体包括，CF₄气体、CH₃气体、Ar气体；

其中，通入的所述CF₄气体的流量在60每分钟标准毫升；

通入的所述CH₃气体的流量在20每分钟标准毫升；

通入的所述Ar气体的流量在20每分钟标准毫升。

优选的，所述反应腔体内形成的所述第一高压环境的气压值为250兆帕。