[发明专利]一种电平转换电路以及芯片系统

权利要求书

1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：第一N型金属氧化物半导体NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第一P型金属氧化物半导体PMOS管，第二PMOS管，第一反相器，以及第二反相器，其中：

所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的源极都与电源负极或地线连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的源极或漏极中的任意一个连接；

所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的源极或漏极中的任意一个连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极连接；

所述第一PMOS管与第二PMOS管的源极与第一电源连接，所述第一电源的输出为目标高电平，所述第一PMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接，若所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的源极连接，则所述第一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接，若所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极连接，则所述第一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接；

所述第二PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接，若所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的源极连接，则所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极连接，若所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的漏极连接，则所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极连接；

所述第一反相器的输入端与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一反相器的输出为目标输出信号，所述第一反相器与所述第一电源连接，所述第一反相器还与电源负极或地线连接；

所述第二反相器的输入端输入待转换的输入信号，所述待转换的输入信号的高电平为待转换高电平，所述第二反相器的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二反相器与第二电源连接，所述第二反相器还与电源负极或地线连接，所述第二电源的输出为待转换电平。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括第三反相器；

所述第三反相器的输入端与所述第二反相器的输出的连接，所述第三反相器的输出端与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第三反相器与所述第二电源连接，所述第三反相器还与电源负极或地线连接。

3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，包括：

当所述第二反相器的输入端的输入的待转换电平为逻辑1的待转换高电平时，所述第一NMOS截止，所述第二NMOS导通，所述第三NMOS导通，所述第四NMOS截止，所述第一PMOS导通，所述第二PMOS截止，所述第一反相器输出所述目标高电平。

4.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，包括：

当所述第二反相器的输入端的输入的待转换电平为逻辑0的低电平时，所述第一NMOS导通，所述第二NMOS截止，所述第三NMOS截止，所述第四NMOS导通，所述第一PMOS截止，所述第二PMOS导通，所述第一反相器输出低电平。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的电平转换电路，其特征在于，包括：

所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的沟道宽度比例为0.8-1.2之间任一比例，所述第一NMOS管的沟道宽度与所述第一PMOS管的沟道宽度为3.2-4.8之间任一比例，所述第二NMOS管的沟道宽度与所述第二PMOS管的沟道宽度为3.2-4.8之间任一比例。

6.根据权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于，包括

所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的沟道宽度比例为1：1，所述第一NMOS管的沟道宽度与所述第一PMOS管的沟道宽度为4:1，所述第二NMOS管的沟道宽度与所述第二PMOS管的沟道宽度为4:1。

7.一种芯片系统，其特征在于，所述芯片系统包括如权利要求1至4任一项所述的电平转换电路。