[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供表面形成有硅外延层的硅衬底，采用光刻刻蚀工艺在所述硅外延层的栅极区域中形成沟槽；

步骤二、在所述沟槽底部表面和侧壁表面形成底部氧化层，所述底部氧化层也延伸到所述沟槽外部的所述硅外延层表面；

步骤三、在所述底部氧化层表面形成第一层多晶硅，所述第一层多晶硅将所述沟槽完全填充并会在所述沟槽的中央区域产生缝隙；

步骤四、对所述第一层多晶硅进行热退火，利用所述热退火使所述第一层多晶硅再结晶并用于消除所述第一层多晶硅的缝隙；

步骤五、对所述第一层多晶硅进行回刻，该回刻将所述沟槽外部的所述第一层多晶硅完全去除，将所述沟槽中顶部的所述第一层多晶硅去除，由保留于所述沟槽底部的所述第一层多晶硅组成多晶硅屏蔽栅。

2.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述热退火的过程中通入N2，所述热退火的温度为1000℃～1150℃,所述热退火时间25分钟～35分钟。

3.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于，还包括步骤：

步骤六、对所述底部氧化层进行湿法腐蚀，所述湿法腐蚀将所述多晶硅屏蔽栅顶部的所述沟槽侧壁的所述底部氧化层去除；

步骤七、在所述多晶硅屏蔽栅顶部表面形成多晶硅间隔离氧化层；在所述多晶硅屏蔽栅顶部的所述沟槽侧壁形成栅氧化层；

步骤八、形成第二层多晶硅，所述第二层多晶硅将形成有所述栅氧化层和所述多晶硅间隔离氧化层的所述沟槽完全填充，由填充于所述沟槽顶部的所述第二层多晶硅组成多晶硅栅。

4.如权利要求1或3所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于：屏蔽栅沟槽型MOSFET包括多个周期交替排列的MOSFET单元结构，步骤一中形成的所述沟槽包括交替排列的多个，每一个所述沟槽和一个所述MOSFET单元结构相对应。

5.如权利要求3所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于：步骤一中所述硅衬底具有第一导电类型重掺杂，所述硅衬底的背面用于形成漏区，所述硅外延层具有第一导电类型轻掺杂，所述硅外延层用于形成屏蔽栅沟槽型MOSFET的漂移区。

6.如权利要求5所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于：在所述硅外延层中形成有第二导电类型阱区，所述多晶硅栅穿过所述阱区，所述多晶硅栅从侧面覆盖所述阱区并用于在所述阱区侧面形成沟道。

7.如权利要求3所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于：步骤七中所述栅氧化层采用热氧化工艺形成，所述多晶硅间隔离氧化层采用气相化学淀积形成。

8.如权利要求3所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于：步骤八形成所述第二层多晶硅之后还包括对所述第二层多晶硅进行回刻的步骤，该回刻后将所述沟槽外部的所述第二层多晶硅都去除，由保留于所述沟槽顶部的所述第二层多晶硅组成多晶硅栅。

9.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于：步骤五中采用干法刻蚀工艺对所述第一层多晶硅进行回刻。