[发明专利]反馈调节电感解决电感啸叫的电路结构及其方法在审
申请号: | 201711075804.8 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107896060A | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 何山 | 申请(专利权)人: | 上海斐讯数据通信技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 杭州千克知识产权代理有限公司33246 | 代理人: | 周希良,吴辉辉 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反馈 调节 电感 解决 电路 结构 及其 方法 | ||
1.一种反馈调节电感解决电感啸叫的电路结构,包括具有电源芯片的开关电源电路,其特征在于,所述的开关电源电路的输出端(Uout)和负载端(Vload)之间串联有一调压电阻(R),所述的调压电阻(R)与开关电源电路之间串联有储能电感,且调压电阻(R)靠近负载端(Vload)的一侧与储能电感之间连接有能够根据负载端(Vload)电压控制储能电感有效储能值的调节电路,使重载时的有效储能值大于轻载时的有效储能值。
2.根据权利要1求所述的反馈调节电感解决电感啸叫的电路结构,其特征在于,所述的储能电感包括两个相互串联的分电感,所述的调节电路与其中一个分电感相连并根据负载电压的大小将该分电感导通或短路。
3.根据权利要2求所述的反馈调节电感解决电感啸叫的电路结构,其特征在于,所述的调节电路包括一第三MOS管(Q3),所述的第三MOS管(Q3)的栅极通过一比较电路连接于调压电阻(R)靠近负载端(Vload)的一侧,且该比较电路能够根据对负载电压与参考电压(Vref)的比较结果控制该第三MOS管(Q3)导通或关断,所述的第三MOS管(Q3)的漏极和源极分别连接在与其相连的分电感的两端。
4.根据权利要求3所述的反馈调节电感解决电感啸叫的电路结构,其特征在于,所述的比较电路包括一比较器(U1),所述的比较器(U1)的输出端连接于第三MOS管(Q3)的栅极,所述的比较器(U1)的正负极的其中一极连接于参考电压(Vref),另一极连接于调压电阻(R)靠近负载端(Vload)的一侧。
5.根据权利要求4所述的反馈调节电感解决电感啸叫的电路结构,其特征在于,所述的开关电源电路包括具有第一门引脚(gate1)、第二门引脚(gate2)的电源芯片,所述的第一门引脚(gate1)处连接于第一MOS管(Q1)的栅极,所述的第二门引脚(gate2)处连接于第二MOS管(Q2)的栅极,第一MOS管(Q1)的输入端连接有输入电压(Uin),输出端通过储能电感连接于调压电阻(R);第二MOS管(Q2)的输入端连接于第一MOS管(Q1)的输出端,第二MOS管(Q2)的输出端接地且通过一稳压电容(C)连接于储能电感与调压电阻(R)的公共端。
6.根据权利要求5所述的反馈调节电感解决电感啸叫的电路结构,其特征在于,所述的参考电压(Vref)的电压值设置为介于负载端(Vload)重载时的重负载电压和轻载时的轻负载电压之间的任意值;所述的第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)和第三MOS管(Q3)均为NMOS管,所述的比较器(U1)的负极连接于参考电压(Vref),比较器(U1)的正极连接于调压电阻(R)靠近负载端(Vload)的一侧。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的反馈调节电感解决电感啸叫的电路结构,其特征在于,所述的调压电阻(R)为一阻值为0.01Ω~1Ω的低阻值电阻。
8.一种反馈调节电感解决电感啸叫的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:调压电阻(R)调压:当负载电流增大时调压电阻(R)上的电压降增大,负载电压降低;反之,当负载电流减小时,负载电压增大;
S2:调节有效储能值:电压比较器(U1)根据对负载电压与参考电压(Vref)的比较结果控制有效储能值的大小,,使重载时的有效储能值相对于轻载时的有效储能值大。
9.根据权利要求8所述的反馈调节电感解决电感啸叫的方法,其特征在于,在步骤S1中,当负载为轻载时负载电流增大,当负载为重载时负载电流减小。
10.根据权利要求8或9所述的反馈调节电感解决电感啸叫的方法,其特征在于,在步骤S2中,比较器(U1)通过控制第三MOS管(Q3)的通断控制两个相互串联的分电感中的其中一个被短路或导通以调节有效储能值的大小。
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