[发明专利]晶体管和晶体管制造方法

说明书

本发明公开了一种晶体管和晶体管制造方法。本发明所述的晶体管结构包括：源极，漏极，以及连接源极和漏极的有源层；所述有源层包括二氧化硅框架，所述二氧化硅框架内设置包含铟镓锌氧化物合成纳材料。本发明可以提升晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种晶体管和晶体管制造方法。

背景技术

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。液晶面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。

制备高性能的TFT器件是高品质LCD的基础，目前新一代的晶体管(TFT)采用铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)作为有源层材料，来连接晶体管的源极和漏极，铟镓锌氧化物的载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率。本发明提出一种新的铟镓锌氧化物有源层技术方案，可以进一步提升晶体管的性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶体管和晶体管制造方法，以进一步提升晶体管的性能。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

根据本发明的一个方面，本发明公开了一种晶体管结构，包括：

源极，

漏极，以及

源极和漏极之间的有源层；

绝缘层，形成在有源层上；

介电层，形成在绝缘层上；

栅极，形成在介电层上；

钝化层，形成在栅极上；

所述有源层包括二氧化硅框架，所述二氧化硅框架内设置包含铟镓锌氧化物的合成纳米材料；

所述二氧化硅框架包括多个圆柱形的孔洞，所述孔洞贯穿二氧化硅框架，所述合成纳米材料填充于所述孔洞内；

所述合成纳米材料还包括锗和硅；

所述孔洞的直径范围是2-7纳米；所述孔洞的孔壁厚度范围是1-2纳米。

进一步的，所述二氧化硅框架采用有机分子模版自组装技术制成。分子模版有很好的定型效果，可以让铟镓锌氧化物纳米较为均匀地散布于二氧化硅框架内。

进一步的，所述孔洞按六边形规则排布。六边形规则排布可以形成类蜂巢的结构，稳定性好。

根据本发明的另一个方面，本发明还公开了一种显示面板，包括：

基板；