[发明专利]共晶芯片组件的烧结方法

权利要求书

1.一种共晶芯片组件的烧结方法，其特征在于，所述烧结方法包括：

(1)初步安装：在工件的腔体内涂覆助焊剂，之后将多个焊料片放置在腔体内，在每个焊料片表面涂覆助焊剂，将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面，形成预装组件；

(2)烧结处理：将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理；其中，第一烧结处理的条件包括：烧结的温度为155-165℃，烧结的时间为325-333s，烧结的环境压力为4.5-5.5Pisg；第二烧结处理的条件包括：烧结的温度为215-225℃，烧结的时间为145-155s，烧结的环境压力为9.5-10.5Pisg；在步骤(2)中，烧结处理在真空共晶炉中进行，且烧结处理的方法还包括：对真空共晶炉进行抽真空，之后通入保护气体，排出保护气体后进行第一烧结处理。

2.根据权利要求1所述的烧结方法，其中，抽真空的时间为35-45s，保护气体的通入时间为5-8s，保护气体的通入流量为3-5L/min。

3.根据权利要求2所述的烧结方法，其中，保护气体选自氮气和/或氦气。

4.根据权利要求1所述的烧结方法，其中，在步骤(1)中，焊料片在使用前需进行预处理，预处理的方法包括：依次将焊料片进行超声清洗和等离子清洗。

5.根据权利要求4所述的烧结方法，其中，超声清洗的时间为9-11min，超声清洗的功率为60-70W，等离子清洗的时间为2-4min，等离子清洗的射频功率为400-600W。

6.根据权利要求4所述的烧结方法，其中，在超声清洗中，清洗液为乙醇、乙醚和丙酮中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的烧结方法，其中，助焊剂选自阿尔法助焊剂EF9301、阿尔法助焊剂EF8000和阿尔法助焊剂RF800PT中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的烧结方法，其中，焊料片的表面积大于共晶芯片组件的表面积。

9.根据权利要求8所述的烧结方法，其中，共晶芯片组件为矩形，其长边的长度为a，宽边的长度为b；

焊料片为矩形，其长边的长度为a+0.6mm，宽边的长度为b+0.6mm。