[发明专利]薄膜晶体管基板及包括薄膜晶体管基板的显示装置有效
申请号: | 201711077381.3 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN108206010B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 具亨埈;朴世熙;智光焕;尹弼相;朴在润;崔弘洛 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/3258 | 分类号: | G09G3/3258;H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 包括 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包括:
遮光层;
用于覆盖所述遮光层的缓冲层;和
驱动晶体管,所述驱动晶体管在与所述遮光层交叠的同时制备在所述缓冲层上并且用于向有机发光器件提供驱动电流,
其中所述驱动晶体管包括:
驱动晶体管有源层,所述驱动晶体管有源层具有驱动晶体管源极层、驱动晶体管漏极层和驱动晶体管沟道层,其中所述驱动晶体管有源层与所述遮光层交叠;
与所述驱动晶体管沟道层交叠的驱动晶体管栅极绝缘膜;
制备在所述驱动晶体管沟道层下的驱动晶体管下部电极;和
制备在所述驱动晶体管栅极绝缘膜上的驱动晶体管上部电极,
其中所述遮光层用作所述驱动晶体管下部电极以及接收第一电压,并且所述驱动晶体管上部电极接收与所述第一电压不同的第二电压。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述驱动晶体管上部电极与所述驱动晶体管源极层电连接。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述缓冲层的厚度大于所述驱动晶体管栅极绝缘膜的厚度。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,还包括开关晶体管,所述开关晶体管制备在所述缓冲层上并且用于向所述遮光层提供所述第一电压。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其中所述开关晶体管包括:
制备在所述缓冲层上的开关晶体管有源层,所述开关晶体管有源层具有开关晶体管源极层、开关晶体管漏极层和开关晶体管沟道层;
与所述开关晶体管沟道层交叠的开关晶体管栅极绝缘膜;和
制备在所述开关晶体管栅极绝缘膜上的开关晶体管栅极电极,
其中所述开关晶体管漏极层接收数据电压,并且
所述开关晶体管源极层将所述第一电压提供至所述遮光层。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板,还包括与所述驱动晶体管源极层连接的初始化晶体管。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板,其中所述驱动晶体管源极层和所述初始化晶体管的源极层连续地设置。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板,还包括发光控制晶体管,所述发光控制晶体管与驱动电源和所述驱动晶体管漏极层连接。
9.根据权利要求6至8任一项所述的薄膜晶体管基板,还包括存储电容器,所述存储电容器制备在所述遮光层与所述驱动晶体管之间的交叠区域中。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板,其中所述存储电容器连续地设置在所述驱动晶体管源极层与所述初始化晶体管的源极层之间。
11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板,还包括与所述驱动晶体管源极层交叠的上部电容器电极,
其中所述存储电容器包括:
第一存储电容器,所述第一存储电容器制备在所述驱动晶体管源极层与所述遮光层之间;和
第二存储电容器,所述第二存储电容器制备在所述驱动晶体管源极层与所述上部电容器电极之间。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板,还包括用于覆盖所述驱动晶体管有源层和所述驱动晶体管上部电极的第一层间绝缘层,
其中所述上部电容器电极制备在与所述驱动晶体管源极层交叠的第一层间绝缘层上。
13.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板,还包括:
与所述遮光层连接的第一源极/漏极图案;
第二源极/漏极图案,所述第二源极/漏极图案用于将所述驱动晶体管上部电极和所述驱动晶体管源极层彼此电连接;和
第三源极/漏极图案,所述第三源极/漏极图案与所述第一源极/漏极图案连接,并且所述第三源极/漏极图案制备在与所述第二源极/漏极图案相同的层处以形成所述存储电容器。
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