[发明专利]一种交流电源浪涌保护装置及电子设备在审
申请号: | 201711077959.5 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN109755932A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 骆生辉;蔡锦波;陈国源;周垠群 | 申请(专利权)人: | 东莞市阿甘半导体有限公司 |
主分类号: | H02H9/06 | 分类号: | H02H9/06;H02H5/04 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 支路 浪涌保护装置 交流线路 开路 交流电源 双向半导体 电子设备 电连接 放电管 导通 熔断 防护器件 工频电压 器件串联 预设电压 第一端 短路 断路 | ||
本发明实施例公开了一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。其中,该交流电源浪涌保护装置包括:第一保护支路,该第一保护支路包括双向半导体放电管和开路失效型器件,双向半导体放电管和开路失效型器件串联连接于第一保护支路中,第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接,第二端与第二交流线路电连接;第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时,第一保护支路导通;开路失效型器件用于在第一保护支路导通时,产生的温度大于开路失效型器件内部的熔断温度时开路,以切断第一保护支路。本发明实施例的技术方案可在工频电压异常时,或防护器件短路时,浪涌保护装置可以断路,从而提高浪涌保护装置的可靠性和安全性。
技术领域
本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。
背景技术
雷击是极其普遍的自然现象,据统计,全世界有四万多个雷暴中心,每天有800万次雷击,这意味着地球上每秒有100次左右的雷击发生。雷击对外部供电线路有很大影响,例如:若雷电击中户外电网线路,会有大量电流流入外部线路或接地电阻,因而产生了干扰电压;间接雷击(如云层间或云层内的雷击)在外部线路上感应出的脉冲电压和电流;雷电击中线路邻近物体,在其周围建立强大电磁场,在外部线路上感应出电压;雷电击中附近地面,地电流通过公共接地系统时所引进的干扰。
除自然界的雷击外,变电所等场合的开关动作也会引进浪涌干扰,如:主电源系统切换时的干扰;同一电网,在靠近受电设备附近的一些小开关跳动时形成的干扰;切换伴有谐振线路的晶闸管设备;各种系统性的故障,如设备接地网络或者接地系统间的短路和飞弧故障。
由此可知,在受电设备的供电端口处设置浪涌保护装置至关重要。浪涌保护装置的作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内,或将强大的雷电流泄流入地,保护被保护的设备或系统不受冲击而损坏。由于雷击的持续时间通常是短暂的,在微秒级别,而电网电压异常时,如电压突然幅值变高,且持续时间较长,导致浪涌保护装置持续或频繁动作,造成浪涌保护装置的器件持续或频繁流过大电流,导致浪涌保护装置失效,甚至导致浪涌保护装置短路烧毁,发生火灾。
发明内容
本发明实施例提供一种交流电源浪涌保护装置及电子设备,以实现在持续性浪涌发生时,浪涌保护装置可以断路,提高浪涌保护装置的可靠性和安全性。
第一方面,本发明实施例提供了一种交流电源浪涌保护装置,包括:
第一保护支路,包括双向半导体放电管和开路失效型器件,双向半导体放电管和开路失效型器件串联连接于第一保护支路中,第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接,第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接;
第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时,第一保护支路导通,第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压,控制导通的第一保护支路关断恢复;开路失效型器件用于在第一保护支路连续导通时,产生的温度大于开路失效型器件内部的熔断温度时开路,以切断第一保护支路。
进一步地,开路失效型器件为熔断保险丝。
进一步地,开路失效型器件为开路失效气体放电管。
进一步地,开路失效气体放电管包括绝缘管体及与绝缘管体的两端分别密封连接以形成放电内腔的两个导电电极,放电内腔充有惰性气体,至少一个导电电极与绝缘管体之间通过低温绝缘密封粘合物密封连接,其中,两个导电电极包括第一导电电极和第二导电电极,第一导电电极与双向半导体放电管的一端电连接,第二导电电极与第一交流线路或第二交流线路电连接。
进一步地,低温绝缘密封粘合物包括低温焊料或低温粘合剂。
进一步地,第一保护支路还包括压敏电阻或双向瞬态抑制二极管,压敏电阻或双向瞬态抑制二极管串联于第一保护支路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市阿甘半导体有限公司,未经东莞市阿甘半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711077959.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。