[发明专利]一种具有CuSCN空穴传输层的碲化镉太阳能电池及制备方法在审

专利信息
申请号: 201711078244.1 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN107910399A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;文秋香 申请(专利权)人: 成都中建材光电材料有限公司
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0336;H01L31/18
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 代理人: 李华,温黎娟
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 cuscn 空穴 传输 碲化镉 太阳能电池 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有CuSCN空穴传输层的碲化镉太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池依次设置有衬底层、窗口层、光吸收层、背电极层,所述光吸收层和背电极层之间还设置有空穴传输层,所述空穴传输层的材料为CuSCN。

2.根据权利要求1所述的碲化镉太阳能电池,其特征在于,所述衬底层为FTO导电玻璃,所述窗口层为硫化镉窗口层,所述光吸收层为碲化镉薄膜层,所述背电极层为金钼复合背电极层。

3.根据权利要求1所述的碲化镉太阳能电池,其特征在于,所述衬底层中导电膜的厚度为50~300nm,所述窗口层的厚度为200~300nm,所述光吸收层的厚度为2~5μm,所述空穴传输层的厚度为150-300nm,所述背电极层的厚度为200~500nm。

4.一种具有CuSCN空穴传输层的碲化镉太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括依次设置的以下步骤:(1)以FTO导电玻璃为衬底层,在所述衬底层上沉积一层硫化镉窗口层;(2)在所述硫化镉窗口层上沉积碲化镉光吸收层,进行活化处理,然后退火处理;(3)在所述碲化镉光吸收层上制备CuSCN空穴传输层;(4)在所述空穴传输层上沉积金钼复合背电极层。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述CuSCN空穴传输层的制备方法选自化学浴法和电化学沉积法中的任意一种。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述化学浴法具体为以CuSO4为Cu原料,NaS2O3为络合剂,配置成第一溶液;以NaSCN为SCN-源,配置成第二溶液,将已镀窗口层薄膜的衬底层先置于第一溶液中20~40分钟,然后放入第二溶液中20~40分钟,然后烘干后得到CuSCN空穴传输层。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述电化学沉积法具体为将CuSO4、KSCN、EDTA溶于溶剂中,形成电解液,以三电极体系进行电化学沉积,烘干后获得CuSCN空穴传输层。

8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中活化处理具体为采用浓度为0.05-0.35mol/L的CdCl2甲醇溶液对硫化镉窗口层进行活化处理,采用滚轴涂覆法,确保薄膜表面均负载CdCl2

9.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中退火处理的温度为300~500℃。

10.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述硫化镉窗口层和所述碲化镉光吸收层的制备方法为气相沉积法,所述背电极层的沉积方法为磁控溅射法。

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