[发明专利]低噪声平面磁传感器在审
| 申请号： | 201711078432.4 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107907145A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 文玉梅;李平;卞雷祥 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01D5/20 | 分类号： | G01D5/20 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司31227 | 代理人： | 李庆 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 噪声 平面 传感器 | ||
1.一种低噪声平面磁传感器，其特征在于，包括一衬底、一平面线圈和至少一减噪结构；所述减噪结构和所述平面线圈固定于所述衬底，且所述减噪结构与所述平面线圈部分贴合固定；所述减噪结构包括至少一第一导磁材料层和至少一第一绝缘层，所述第一导磁材料层形成涡流抑制结构，所述第一导磁材料层、所述第一绝缘层和所述平面线圈依次层叠布设。
2.根据权利要求1所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述平面线圈呈矩形。
3.根据权利要求2所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述涡流抑制结构包括多个缝隙；所述缝隙的长度方向与所述平面线圈对应该缝隙处流经的电流方向相交。
4.根据权利要求3所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述涡流抑制结构包括多个长度方向与一预设方向平行的缝隙；所述缝隙的宽度小于所述第一导磁材料层的厚度。
5.根据权利要求2所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述涡流抑制结构包括格栅，所述格栅缝隙的宽度小于所述第一导磁材料层的厚度。
6.根据权利要求1～5任一项所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述减噪结构包括两所述第一导磁材料层和两所述第一绝缘层，两所述第一导磁材料层分别对置于所述平面线圈的两面；所述第一导磁材料层和所述平面线圈之间设置有所述第一绝缘层。
7.根据权利要求6所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述减噪结构还包括至少一第二导磁材料层和至少一第二绝缘层，所述第二导磁材料层、所述第二绝缘层、所述第一导磁材料层、所述第一绝缘层和所述平面线圈依次层叠布设。
8.根据权利要求7所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述第一导磁材料层和所述第二导磁材料层的材质包括：FeNi合金、硅钢、FeCo合金、铁磁非晶或铁磁纳米晶。
9.根据权利要求8所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质采用氮化硅或二氧化硅。
10.根据权利要求9所述的低噪声平面磁传感器，其特征在于，所述衬底的材质采用氮化硅。
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