[发明专利]一种芯片面积与功耗优化方法及系统有效

专利信息
申请号: 201711078974.1 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN107861689B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 李易;李涵;张浩;吴冬冬;范东睿 申请(专利权)人: 北京中科睿芯智能计算产业研究院有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F1/3234
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 101300 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 面积 功耗 优化 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,包括如下步骤:

对寄存器单个时钟周期有多少读写进行分析;

如果所述寄存器单个时钟周期里的读写少量时,进行SRAM规格选择;

将所述寄存器替换成SRAM;

进行数据读同步。

2.根据权利要求1所述的一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,在对寄存器单个时钟周期有多少读写进行分析的步骤中是分析所述寄存器单个时钟周期里有多少读写,并确定读写是否为少量。

3.根据权利要求1所述的一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,在进行SRAM规格选择方法的步骤中,通过选择多个不同SRAM的规格,用以组成寄存器的规格大小。

4.根据权利要求3所述的一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,根据寄存器的规格,选择对应的SRAM的规格,规格是A×B的形式,其中A代表存储行数,B代表每行存储的位宽。

5.根据权利要求4所述的一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,选择规格A和B接近的SRAM。

6.根据权利要求1所述的一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,在将所述寄存器替换成SRAM的步骤中,将所述SRAM扩展成多个相同的SRAM,所述多个相同的SRAM存储的数据始终保持一致。

7.根据权利要求1所述的一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,在进行数据读同步的步骤中,是通过增加寄存器级数进行同步控制。

8.根据权利要求7所述的一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,所述SRAM读数据是2个时钟周期时,需增加1级寄存器进行同步。

9.根据权利要求1所述的一种芯片面积与功耗优化方法,其特征在于,所述进行数据读同步包括如下子步骤:

通过对SRAM和寄存器写数据,对SRAM和寄存器里面的基本存储单元进行初始化;

对SRAM和寄存器发送读请求;

寄存器和SRAM响应读请求的第一个时钟周期后,把读出的数据存到同步寄存器中等待一个时钟周期;

寄存器和SRAM响应读请求的第二个时钟周期后,输出读请求对应的数据,数据读同步。

10.一种芯片面积与功耗优化系统,其特征在于,包括:

读写请求模块,所述读写请求模块用于对寄存器单个时钟周期有多少读写进行分析;

存储模块,所述存储模块用于进行SRAM规格选择,将部分寄存器替换成SRAM;

数据同步模块,所述数据同步模块用于将读出寄存器和SRAM的数据同步。

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