[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

存储单元阵列，其包括多个存储单元；

读取电路，其适用于产生与沿第一方向流经多个存储单元中的选中的存储单元的读取电流相对应的读取数据；

反向读取控制电路，其适用于通过对读取数据、读取使能信号和感测使能信号中至少之一执行逻辑运算来产生与所述读取数据的数据值相对应的反向读取控制信号；以及

反向电流发生电路，其适用于响应于反向读取控制信号来产生沿第二方向流经选中的存储单元的反向电流，

其中，所述反向读取控制电路包括：

确定单元，其适用于通过对所述读取使能信号和所述读取数据执行逻辑运算来产生与选中的存储单元的电阻状态相对应的第一确定信号，或者通过对所述读取数据执行逻辑运算来产生与选中的存储单元的电阻状态相对应的第二确定信号；以及

控制单元，其适用于通过对所述第一确定信号执行逻辑运算来产生反向读取控制信号，或者通过对所述读取使能信号、感测使能信号和第二确定信号执行逻辑运算来产生反向读取控制信号。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，反向读取控制电路适用于：

基于具有第一数据值的读取数据来激活反向读取控制信号；以及

基于具有第二数据值的读取数据来去激活反向读取控制信号。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

第一数据值对应于在选中的存储单元为低电阻状态时流动的读取电流，以及

第二数据值对应于在选中的存储单元为高电阻状态时流动的读取电流。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，读取电路包括：

感测放大单元，其适用于基于读取电流和参考电流来产生读取数据，以及响应于感测使能信号被使能；

读取电流源单元，其适用于响应于读取使能信号来从感测放大单元发起读取电流到全局位线；以及

读取电流吸收单元，其适用于响应于读取使能信号来从全局源极线吸收读取电流到低电压级。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，反向电流发生电路适用于：

响应于被激活的反向读取控制信号来产生反向电流，以及

响应于被去激活的反向读取控制信号而不产生反向电流。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，反向电流发生电路包括：

反向电流源单元，其适用于响应于反向读取控制信号来发起反向电流；以及

反向电流吸收单元，其适用于响应于反向读取控制信号来吸收反向电流。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，反向电流发生电路还包括适用于限制反向电流的钳位单元。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，多个存储单元中的每个存储单元包括电阻状态根据读取电流的方向而改变的可变电阻元件。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括写入电路，所述写入电路适用于产生沿与写入数据相对应的方向流经多个存储单元中的选中的存储单元的写入电流。