[发明专利]超低缺陷部件处理

说明书

本发明涉及超低缺陷部件处理。一种用于去除和防止衬底处理室的组件的表面上的缺陷的方法包括：将所述组件装载到真空室中；并且，在所述组件被装载在所述真空室内的情况下，在第一预定时间段期间在烘烤温度下烘烤所述组件以从所述组件的表面去除水和缺陷，以及在至少一个第二预定时间段期间清扫所述真空室内的所述组件以从所述真空室中除去所述缺陷。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月4日提交的美国临时申请No.62/417,529和2016年11月11日提交的美国临时申请No.62/420,709的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于处理衬底的真空处理系统的组件的制造，以及使用诸如热处理设备之类的真空处理设备来涂覆处理室的表面。

背景技术

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的发明人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上进行的示例性工艺包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻、快速热处理(RTP)、离子植入、物理气相沉积(PVD)、和/或其它蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的诸如基座、静电卡盘(ESC)等衬底支撑件上。在处理期间，包括一种或多种前体的气体混合物可以被引入到处理室中，并且可以使用等离子体来引发化学反应。

处理室包括各种组件，各种组件包括但不限于衬底支撑件、气体分配装置(例如，喷头，其也可对应于上电极)、等离子体约束罩等。衬底支撑件可以包括布置成支撑晶片的陶瓷层。例如，在处理期间，晶片可以被夹持到陶瓷层。衬底支撑件可以包括围绕衬底支撑件的外部部分(例如，在周边的外侧和/或邻近周边)布置的边缘环。边缘环可以被设置成将等离子体约束在衬底上方的体积中，保护衬底支撑件免受由等离子体等引起的侵蚀。等离子体约束罩或其它室工艺均匀性控制结构可以围绕衬底支撑件和喷头中的每一个布置以进一步将等离子体约束在衬底上方的体积内。

发明内容

一种用于去除和防止衬底处理室的组件的表面上的缺陷的方法包括：将所述组件装载到真空室中；并且，在所述组件被装载在所述真空室内的情况下，在第一预定时间段期间在烘烤温度下烘烤所述组件以从所述组件的表面去除水和缺陷，以及在至少一个第二预定时间段期间清扫所述真空室内的所述组件以从所述真空室中除去所述缺陷。在其他特征中，所述方法还包括在从所述真空室移除所述组件并将所述组件安装在所述衬底处理室内之前，任选地将保护性涂层沉积到所述组件的所述表面上。

在其他特征中，所述方法包括在从所述真空室移除所述组件并将所述组件安装在所述衬底处理室内之前，任选地将保护性涂层沉积到所述组件的所述表面上。所述烘烤温度为约200℃。所述组件对应于所述衬底处理室的喷头。所述第二预定时间段在所述第一预定时间段之后。所述第一预定时间段和所述第二预定时间段重叠。

在其他特征中，执行所述清扫持续两个或更多个所述第二预定时间段。所述两个或更多个所述第二预定时间段在所述第一预定时间段内。所述烘烤和清扫在沉积所述保护性涂层之前重复两次或更多次。

在其他特征中，所述保护性涂层以单层施加。所述保护性涂层包括疏水性材料。所述保护性涂层对应于硅烷涂层。所述保护性涂层包括有机硅烷。保护性涂层包括六甲基二硅氮烷(HMDS)。

在其他特征中，所述烘烤、所述清扫和沉积所述保护性涂层中的每一个在所述真空室内在维持在1托至760托的压强下执行。所述清扫包括交替地向所述真空室提供清扫气体和从所述真空室抽走材料。