[发明专利]一种时间放大器以及半导体存储器有效
申请号: | 201711080150.8 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107634732B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 赖荣钦 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H03G3/30 | 分类号: | H03G3/30 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 张臻贤;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 时间 放大器 以及 半导体 存储器 | ||
1.一种时间放大器,其特征在于,包括:
第一闩锁器,所述第一闩锁器的Q1输出端耦接有第一电容,输出端耦接有第二电容,所述第一电容和所述第二电容中至少有一个电容的电容值可调;
第一控制器,用于控制所述第一电容的电容值与所述第二电容的电容值的相对大小,使所述时间放大器的放大增益增大或者减小。
2.如权利要求1所述的时间放大器,其特征在于,还包括:
第二闩锁器,所述第二闩锁器的Q2输出端耦接有第三电容,输出端耦接有第四电容,所述第三电容和所述第四电容中至少有一个电容的电容值可调。
3.如权利要求2所述的时间放大器,其特征在于,还包括:
第二控制器,用于控制所述第三电容的电容值与所述第四电容的电容值的相对大小,使所述时间放大器的放大增益增大或者减小。
4.如权利要求3所述的时间放大器,其特征在于,所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、和所述第四电容的其中一电容包括:
至少两条支路,所述支路之间并联,所述支路的输入端与所述第一闩锁器和所述第二闩锁器的其中一输出端连接,所述支路的输出端接地;
其中,所述支路由支路电容以及串联所述支路电容的开关组成,所述开关受到所述第一控制器和所述第二控制器中对应连接的控制器控制。
5.如权利要求4所述的时间放大器,其特征在于,所述开关包括:
与非门,所述与非门的输入端包括接触引脚,由对应连接的所述第一控制器或所述第二控制器控制,对应的所述第一控制器和所述第二控制器用于控制所述接触引脚与所述支路之间为连接或是断开来调整电容值的大小。
6.如权利要求5所述的时间放大器,其特征在于,所述与非门的输入端还包括控制引脚由对应连接的所述第一控制器或所述第二控制器控制,当所述接触引脚与所述支路连接时,对应连接的所述第一控制器或所述第二控制器用于将逻辑信号发送至所述控制引脚来调整电容值的大小。
7.如权利要求1所述的时间放大器,其特征在于,还包括:
与所述第一闩锁器的输入端连接的第一缓冲器,以及与所述第一闩锁器的输出端连接的第一或非门。
8.如权利要求3所述的时间放大器,其特征在于,还包括:
与所述第二闩锁器的输入端连接的第二缓冲器,以及与所述第二闩锁器的输出端连接的第二或非门。
9.一种半导体存储器,其特征在于,包括权利要求1至8任一项所述的时间放大器。
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