[发明专利]具有组合阱的多量子阱LED外延结构及其外延制备方法在审
| 申请号： | 201711080999.5 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109755360A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张义;王建立;马旺;王成新;肖成峰;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多量子阱 量子阱层 制备 空穴 辐射复合效率 非掺杂GaN层 内量子效率 欧姆接触层 电子注入 极化电场 极化电荷 器件性能 依次设置 衬底层 量子阱 势垒层 阱结构 内建 源区 阱层 叠加 阻挡 扩散 束缚 缓解 | ||
1.一种具有组合阱的多量子阱LED外延结构，其特征在于，包括：自上而下依次设置的衬底层（1）、GaN缓冲层（2）、非掺杂GaN层（3）、n型AlGaN层（4）、n型GaN层（5）、量子阱层（6）、P型AlGaN层（7）、P型GaN层（8）和P型InGaN欧姆接触层（9），所述量子阱层（6）由GaN势垒层（10）和组合阱层构成周期性叠加构成，所述组合阱结构由低In浓度InGaN阱层（11）、高In浓度InGaN阱层（12）以及低In浓度InGaN阱层（13）构成，所述低In浓度InGaN阱层（11）及低In浓度InGaN阱层（13）的In掺杂浓度为2E19-4E19atom/，所述高In浓度InGaN阱层（12）的In掺杂浓度为2E20-4E20 atom/。
2.根据权利要求1所述的具有组合阱的多量子阱LED外延结构，其特征在于：所述衬底为蓝宝石材料制成。
3.根据权利要求1所述的具有组合阱的多量子阱LED外延结构，其特征在于：所述GaN缓冲层（2）的厚度为20-40nm，所述非掺杂GaN层（3）的厚度为2-3μm，所述n型AlGaN层（4）的厚度为30-60nm，所述n型GaN层（5）的厚度为2-3μm，所述P型AlGaN层（7）的厚度为50-100nm，所述P型GaN层（8）的厚度为100-300nm，所述P型InGaN欧姆接触层（9）的厚度为2-10nm。
4.根据权利要求1所述的具有组合阱的多量子阱LED外延结构，其特征在于：所述GaN势垒层（10）的厚度为1-20nm，所述低In浓度InGaN阱层（11）的厚度为0.5-2nm，所述高In浓度InGaN阱层（12）的厚度为2-4nm，所述低In浓度InGaN阱层（13）的厚度为0.5-2nm。
5.根据权利要求1所述的具有组合阱的多量子阱LED外延结构，其特征在于：所述量子阱层（6）中GaN势垒层（10）和组合阱层的叠加周期为5-20个。
6.根据权利要求1所述的具有组合阱的多量子阱LED外延结构，其特征在于：所述组合阱结构中的低In浓度InGaN阱层（11）、高In浓度InGaN阱层（12）以及低In浓度InGaN阱层（13）的三个势阱层为单循环结构。
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