[发明专利]体异质结量子点发光二极管在审
| 申请号： | 201711081954.X | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107946472A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金肖;常春;张芹;李清华;李凤;张余宝 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 南昌市平凡知识产权代理事务所36122 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体异质结 量子 发光二极管 | ||
1.体异质结量子点发光二极管，其特征在于：包括依次层叠设置的基底、透明电极、空穴注入与传输层、量子点发光层、电子注入与传输层和电极，所述透明电极与电源的正极相连接，所述电极与电源的负极相连接；所述量子点发光层由过渡金属氧化物和量子点组合而成体异质结。
2.根据权利要求1所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述电极由铝、银或二者组合构成，其厚度为1-150nm。
3.根据权利要求1所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述电子注入与传输层为无机氧化物，其厚度为1-100nm。
4.根据权利要求3所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述无机氧化物为氧化锌、掺镁氧化锌或二氧化钛。
5.根据权利要求1所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层为胶体纳米半导体材料，其厚度为1-100nm。
6.根据权利要求5所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述胶体纳米半导体材料为Ⅲ-Ⅵ族或Ⅱ-Ⅴ族元素构成的量子点。
7.根据权利要求1所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述过渡金属氧化物的HOMO能级为-4.6~-5.3eV。
8.根据权利要求1或7所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述过渡金属氧化物为氧化镍、氧化钒、氧化钨或氧化钼金属氧化物，厚度为1-100nm。
9.根据权利要求1所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入与传输层由PEDOT:PSS分别与poly-TPD、PVK或TFB叠合组成，其厚度为1-100nm。
10.根据权利要求1所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入与传输层由聚对苯撑乙烯类、聚噻吩类、聚硅烷类或三苯甲烷类构成。
11.根据权利要求1所述的体异质结量子点发光二极管，其特征在于，所述透明电极为ITO、FTO、PET/ITO导电玻璃，其厚度为1-200nm。
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