[发明专利]沸石晶体网的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及纳米材料，具体涉及一种沸石晶体网的制造方法。

背景技术

随着纳米技术的快速发展，对于精密元件越来越多，精密元件体积越来越小，由于外界污染或者受密闭环境中人群活动的影响，常含有体臭、吸烟臭、烹饪臭、油、有机及无机硫化物、腐蚀性成分等，会腐蚀精密仪表，通常精密元件采用活性炭滤芯对精密元件进行吸附保护，但是活性炭易受到容器大小影响，其炭粉影响过滤效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种沸石晶体网，解决精密元件利用活性炭去除污染气体效率较低的问题。

为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种沸石晶体网的制造方法，其包括：使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体；以多晶硅颗粒作为原料；将氢氧化钠、四丙基溴化铵合成溶液，上述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐，使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒；将上述反应罐加热至200度，得到沸石晶体；上述沸石晶体制成纳米线，上述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%，上述纳米线厚度约20nm～600 nm。

作为优选，上述氢氧化钠、四丙基溴化铵在去离子水中电混合15分钟。

作为优选，上述氢氧化钠、四丙基溴化铵在去离子水中电磁搅拌15分钟。

作为优选，上述反应罐内壁为聚四氟。

作为优选，上述反应罐加热170～200度，其加热反应时间为1-200小时。

本发明还可以，上述反应罐加热是在175度的烘干箱中，其加热时间为124小时。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

通过以多晶硅颗粒进行处理，提取出沸石晶体，通过利用沸石晶体的物理性能进行二次加工形成沸石晶体网，通过利用沸石晶体网替代传统的活性炭对精密机械元件进行吸附保护。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1：

一种沸石晶体网的制造方法，其包括：使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体；以多晶硅颗粒作为原料；将氢氧化钠、四丙基溴化铵按照摩尔比通过水电混合并电磁搅拌合成溶液，上述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐，在，使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒；将上述反应罐加热至200度，得到沸石晶体；上述沸石晶体制成纳米线，上述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%，上述纳米线厚度约20nm，其制成的沸石晶体网有较好的耐酸性、耐酸热性，可代替活性炭实现分子筛的作用，过滤吸附微小分子。

实施例2：

一种沸石晶体网的制造方法，其包括：使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体；以多晶硅颗粒作为原料；将氢氧化钠、四丙基溴化铵在去离子水中电混合15分钟，上述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐，在，使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒；将上述反应罐加热至200度，得到沸石晶体；上述沸石晶体制成纳米线，上述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%，上述纳米线厚度约600nm ，其制成的沸石晶体网成本价格低廉，吸附能力较强。

实施例3：

一种沸石晶体网的制造方法，其包括：使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体；以多晶硅颗粒作为原料；将氢氧化钠、四丙基溴化铵在去离子水中电磁搅拌15分钟，上述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐，在，使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒；将上述反应罐加热至200度，得到沸石晶体；上述沸石晶体制成纳米线，上述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%，上述纳米线厚度约300nm，其制成的沸石晶体网质量较好，性能更加稳定。

实施例4：