[发明专利]使用强化栅极盖体及间隔物部分的自对准接触部保护

权利要求书

1.一种方法，包含：

提供起始结构，该起始结构包含半导体衬底、多个源极与漏极、位在该多个源极与漏极上方的硬罩衬垫层、位在该硬罩衬垫层上方的底端介电层、介于该多个源极与漏极之间的多个金属栅极，其中该多个金属栅极通过间隔物所界定、介于对应间隔物之间并且位在该多个金属栅极上面的栅极盖体开口、以及位在该底端介电层上面并且位在该栅极盖体开口中的顶端介电层，从而产生栅极盖体；

移除该顶端介电层的部分，该移除导致接触开口及位于该间隔物与栅极盖体其中之一或多者的顶端部分处的至少一个凹坑；以及

以蚀刻终止材料来填充该至少一个凹坑，该蚀刻终止材料具有比该间隔物与栅极盖体的材料更佳的蚀刻终止能力。

2.如权利要求1所述的方法，其中，填充该至少一个凹坑包含：

形成位在该顶端介电层上方且位在该接触开口中的蚀刻终止衬垫层；以及

移除位在该至少一个凹坑中除外的该蚀刻终止衬垫层。

3.如权利要求1所述的方法，更包含使该多个源极与漏极曝露，该曝露使该接触开口向下延展以形成已延展接触开口。

4.如权利要求3所述的方法，更包含形成位在该已延展接触开口中的接触部。

5.如权利要求3所述的方法，更包含：

形成位于该已延展接触开口的底端处的硅化物；

在该硅化物上方以接触材料填充该已延展接触开口；以及

向下平坦化并且在具有蚀刻终止材料的该至少一个凹坑处终止，导致底端接触部分。

6.如权利要求5所述的方法，更包含形成位在该底端接触部分上方的顶端接触部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中，形成顶端接触部分包含：

形成顶端毯覆式介电层；

移除该顶端毯覆式介电层的部分，该移除形成顶端接触部分开口；以及

形成位在该顶端接触部分开口中的顶端接触部分，其中，该下接触部分与该上接触部分至少部分实体接触。

8.一种半导体结构，包含：

半导体衬底；

源极；

漏极；

栅极结构，介于该源极与该漏极之间，该栅极结构包含传导栅极电极及包含栅极覆盖材料的栅极盖体，该栅极盖体位于包含间隔物材料的一对间隔物之间，该对间隔物及该栅极盖体的其中至少一者的顶端部分内有以蚀刻终止材料填充的至少一个凹坑，该蚀刻终止材料具有比该间隔物材料及该栅极覆盖材料更佳的蚀刻终止能力；以及

至少一个源极接触部与至少一个漏极接触部，各别接触部包覆该至少一个凹坑的各者。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中，该间隔物材料包含氮化物，以及其中，该蚀刻终止材料包含碳氮化硅、二氧化铪及铝(III)氧化物(II)的其中一者。

10.如权利要求8所述的半导体结构，更包含分别位于该源极及该漏极与该源极接触部及该漏极接触部之间的边界处的一层硅化物。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其中，该源极接触部与该漏极接触部的各者为一个连续接触部，其顶端部分由该栅极盖体的一层材料所围绕。

12.如权利要求8所述的半导体结构，其中，该至少一个源极接触部与该至少一个漏极接触部的各者包含至少部分实体接触并且各由介电材料所围绕的下接触部分及上接触部分。

13.如权利要求8所述的半导体结构，更包含位在该半导体衬底上的鳍片，该源极及该漏极与该鳍片的顶端部分整合成一体，并且该栅极电极包覆介于该源极与该漏极之间的该鳍片的一部分。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其中，该间隔物材料包含氮化物，以及其中，该蚀刻终止材料包含碳氮化硅、二氧化铪及铝(III)氧化物(II)的其中一者。