[发明专利]一种基于反馈和电流复用可拓展高频带宽的低噪放电路

权利要求书

1.一种基于反馈和电流复用可拓展高频带宽的低噪放电路，其特征在于，包括NMOS管的偏置电压电路、PMOS管共模反馈偏置电路、四个MOS管分别为MOS管Mn1、MOS管Mn2、MOS管Mp1、MOS管Mp2、四个电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电感L1、三个电容分别为电容C1、电容C2、电容C3；

所述电容C3的一端作为单端输入vin，并与反向器的输入端、MOS管Mn2的S极、电感L1的一端连接，所述电感L1的另一端接地，所述MOS管Mn2的D极与电阻R2的一端、MOS管Mp2的D极连接处作为单端输出vout，MOS管Mn2的G极与MOS管Mn1的G极、电容C1的一端、电阻R1的一端电性连接，电阻R1的另一端作为Vbias与NMOS管的偏置电压电路连接；所述MOS管Mn1的S极接地，MOS管Mn1的D极与电容C3的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的一端、MOS管Mp1的D极连接；所述MOS管Mp1的G极与电阻R4的一端、电容C2的一端、MOS管Mp2的G极连接，MOS管Mp1的S极与电阻R3的另一端、MOS管Mp2的S极连接；所述电阻R4的另一端作为Vcmfb与PMOS管共模反馈偏置电路连接；所述电容C2的另一端、电容C1的另一端与反向器的输出端连接；所述MOS管Mp1的S极、MOS管Mp2的S极与电源连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于反馈和电流复用可拓展高频带宽的低噪放电路，其特征在于，所述NMOS管的偏置电压电路采用恒定电流源、NMOS管，所述NMOS管的D极、G极与恒定电流源的一端连接，NMOS管的S极接地，所述恒定电流源的另一端与电源连接。

3.根据权利要求1所述的一种基于反馈和电流复用可拓展高频带宽的低噪放电路，其特征在于，所述PMOS管共模反馈偏置电路采用运算放大器、两个电阻，所述运算放大器的输出端产生共模反馈偏置电压，所述运算放大器的一输入端与基准电压连接，所述运算放大器的另一输入端与两个电阻的一端连接，所述两个电阻的另一端分别为两个差分输出端。