[发明专利]低膨胀陶瓷坯料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711086721.9 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107793128B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李晓婷;袁家俭;曹阿顺 | 申请（专利权）人： | 湖南嘉盛电陶新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B33/13 | 分类号： | C04B33/13;C04B35/626 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄晓庆 |
| 地址： | 415000 湖南省常德市德山*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膨胀 陶瓷 坯料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种低膨胀陶瓷坯料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供原料，所述原料按重量百分比计包括以下组分：堇青石15％～20％，透锂长石16％～20％，滑石16％～20％，莫来石4％～7％和高岭土40％～43％；
将所述滑石、所述莫来石和所述高岭土进行湿法球磨，制得粒度分布中D97为12～15μm的初级坯料；
将所述堇青石、所述透锂长石和所述初级坯料进行湿法球磨，制得粒度分布中D97为60～80μm的低膨胀陶瓷坯料。
2.如权利要求1所述的低膨胀陶瓷坯料的制备方法，其特征在于，按重量百分比计，所述堇青石为15％～18％，所述透锂长石为17％～19％，所述滑石为18％～20％，所述莫来石为4％～5％及所述高岭土为41％～42％。
3.如权利要求1或2所述的低膨胀陶瓷坯料的制备方法，其特征在于，所述原料中所述堇青石和所述透锂长石的粒径为40～80目，所述滑石、所述莫来石和所述高岭土的粒径为200～325目。
4.如权利要求1所述的低膨胀陶瓷坯料的制备方法，其特征在于，所述原料中含有不超过4％的锂辉石，所述锂辉石的粒径为60～100目。
5.一种由权利要求1～4任意一项所述的低膨胀陶瓷坯料的制备方法制得的低膨胀陶瓷坯料。
6.一种权利要求5所述的低膨胀陶瓷坯料在制备低膨胀陶瓷中的应用。
7.如权利要求6所述的低膨胀陶瓷坯料在制备低膨胀陶瓷中的应用，其特征在于，将所述低膨胀陶瓷坯料制得低膨胀陶瓷的步骤包括上釉和釉烧处理步骤，其中所述釉烧处理的温度为1240～1250℃，时间为2.5～3.5小时。
8.一种权利要求5所述的低膨胀陶瓷坯料制得的低膨胀陶瓷。
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