[发明专利]减压处理装置

说明书

提供一种减压处理装置，防止在对腔室内进行减压时产生结露，并且缩短减压时间。在减压状态下对晶片(W)进行处理的减压处理装置(1)构成为具有：腔室(10)，其具有对室内进行减压的减压单元(50)；开闭门(17)，其将供晶片相对于减压室搬入和搬出的搬入搬出口(12)打开或关闭；以及惰性气体提供源(37)，其向腔室内提供惰性气体，在开闭门被打开的状态下持续提供惰性气体而将腔室内维持为干燥状态。

技术领域

本发明涉及减压处理装置，在对晶片进行处理时使减压室内减压。

背景技术

在进行了磨削装置的磨削后的晶片的被磨削面上残存有磨削痕，该磨削痕成为晶片的抗折强度降低的原因。因此，提出了通过等离子蚀刻将磨削痕从晶片的被磨削面去除的装置(例如，参照专利文献1)。等离子蚀刻装置在将晶片从外部经由开闭门搬入到腔室(减压室)内并对腔室内进行了减压的状态下提供蚀刻气体。然后，使等离子化的蚀刻气体与晶片进行反应而将磨削痕从被磨削面去除，抑制磨削完的晶片的因磨削痕而引起的抗折强度降低。

专利文献1：日本特开2001-358097号公报

另外，搬入到腔室内的晶片被载置在静电卡盘(保持工作台)上，被静电卡盘保持而进行等离子蚀刻。由于晶片因等离子蚀刻而温度变高，所以对静电卡盘提供冷却水而将晶片冷却。虽然在等离子蚀刻结束之后为了晶片的搬入和搬出而对腔室进行大气开放，但外部空气进入到腔室内而使湿度上升。当外部空气所含有的水分因冷却后的静电卡盘而变凉时，会在静电卡盘的正面上产生结露而无法得到针对晶片的充分的吸附力。进而，当腔室内的湿度上升时水与水蒸气的体积比会变成1700倍，因此成为对腔室内进行减压时的障碍而使得减压时间变长。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的之一在于，提供减压处理装置，能够防止结露的产生并且能够缩短减压时间。

根据本发明，提供减压处理装置，在减压状态下对晶片进行处理，其中，该减压处理装置具有：保持工作台，其对晶片进行保持；减压室，其配设有该保持工作台；开闭门，其将供晶片相对于该减压室搬入和搬出的搬入搬出口打开或关闭；以及惰性气体提供单元，其向该减压室提供惰性气体，通过该惰性气体提供单元向该减压室内提供惰性气体，使该减压室与外部空气相比成为正压，打开该开闭门，并通过该惰性气体提供单元向该减压室内持续提供惰性气体直到该开闭门关闭，从而将该减压室内维持为干燥状态。

根据该结构，由于减压室内因惰性气体而呈正压，所以通过将开闭门打开而从减压室内经由搬入搬出口向外部排出惰性气体。此时，由于向减压室内持续提供惰性气体，所以惰性气体从搬入搬出口持续排出。因此，外部空气不会从搬入搬出口逆着惰性气体的流动而进入到减压室内，减压室内被惰性气体维持为干燥状态。由于在进行晶片相对于减压室内的搬入和搬出时减压室内的湿度不会因外部空气而上升，所以能够防止在保持工作台上产生结露。并且，能够抑制作为减压的障碍的湿气的影响，缩短减压时间。

根据本发明，由于一边向减压室内持续提供惰性气体一边使开闭门打开，所以外部空气不会从搬入搬出口进入到减压室内。减压室内被惰性气体维持为干燥状态。因此，能够防止结露的产生，并且能够缩短减压时间。

附图说明

图1是本实施方式的蚀刻装置的整体示意图。

图2的(A)和(B)是本实施方式的晶片的搬入动作的说明图。

图3的(A)和(B)是通过本实施方式的蚀刻装置进行蚀刻动作的说明图。

标号说明

1：蚀刻装置(减压处理装置)；10：腔室(减压室)；12：搬入搬出口；17：开闭门；20：下部电极组件；22：保持工作台；30：上部电极组件；36：反应气体提供源；37：惰性气体提供源(惰性气体提供单元)；50：减压单元；60：控制单元；W：晶片。

具体实施方式