[发明专利]一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器有效
| 申请号： | 201711088750.9 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108107608B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 仇晓明;李艳萍;张帆 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 11200 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅波导层 介质层 上表面 透明导电氧化物层 透明导电氧化物 电光调制器 偏振不敏感 基底层 硅层 不敏感性 第二电极 第一电极 单数 邻接 多层 偏振 | ||
1.一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，包括基底层和设置于所述基底层上的硅波导层，所述硅波导层上表面设有多个介质层；从与所述硅波导层邻接的介质层起算，所有单数介质层上表面均设有透明导电氧化物层，所有双数介质层上表面均设有硅层；所述硅波导层和各所述硅层均设有第一电极，各所述透明导电氧化物层均设有第二电极。
2.根据权利要求1所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述硅波导层为脊型波导。
3.根据权利要求1所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述介质层至少为两层。
4.根据权利要求1所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述介质层厚度为5～100nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述介质层由绝缘材料制成。
6.根据权利要求5所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述绝缘材料包括氧化铪、氧化钛、氧化铝、硅氧化物、硅氮氧化物。
7.根据权利要求1所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述透明导电氧化物层选用的材料包括铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、锡铟氧化物。
8.根据权利要求1所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述第一电极为能与所述硅波导层和所述硅层形成欧姆接触的金属。
9.根据权利要求1所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述第二电极为能与所述透明导电氧化物层形成欧姆接触的金属。
10.根据权利要求8或9所述的一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，其特征在于，所述金属包括铝材质。
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