[发明专利]发光二极管结构与其制造方法有效
申请号: | 201711089635.3 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN107658373B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 许嘉良;欧震;涂均祥;郭得山;柯丁嘉;邱柏顺 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/38;H01L27/15 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 与其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管结构,包含:
基板;
第一半导体层,位于该基板上,且具有一上表面相对于该基板;
第二半导体层,且该第二半导体层与该第一半导体层电性相异;
发光层,介于该第一半导体层及该第二半导体层之间,且该第二半导体层位于该基板与该发光层之间;
第一电极,位于该上表面上;
第一电极延伸部,位于该上表面上且与该第一电极连接;以及
第一反射层,仅覆盖该第一电极延伸部,且未接触该上表面;
其中,该第一反射层的反射率高于该第一电极及该第一电极延伸部,且该第一电极及该第一电极延伸部包含相同的材料;
其中,一光线从该上表面射出。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构,其中该上表面包含第一部分及第二部分,该第一电极、该第一电极延伸部及该第一反射层覆盖该第一部分,该光线从该第二部分射出。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构,还包含第一导电层位于该上表面与该第一电极或该第一电极延伸部之间。
4.如权利要求3所述的发光二极管结构,其中该第一导电层包含透明导电层材料。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构,其中该第一反射层未覆盖该第一电极。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构,其中该第一反射层包含铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、铑(Rh)或其合金。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构,其中该第一反射层包含布拉格反射镜(DBR)结构,该布拉格反射镜(DBR)包含有机材料或无机材料。
8.如权利要求1所述的发光二极管结构,还包含透明绝缘层,覆盖该第一半导体层的该上表面及该第一电极延伸部,且露出该第一电极。
9.如权利要求1所述的发光二极管结构,其中该第一电极及该第一电极延伸部具有相同的厚度。
10.如权利要求1所述的发光二极管结构,其中该第一反射层与该第一电极延伸部轮廓一致。
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