[发明专利]超结器件及其制造方法

权利要求书

1.一种超结器件，超结器件的中间区域为电流流动区，终端区环绕于所述电流流动区的外周，过渡区位于所述电流流动区和所述终端区之间；其特征在于，包括：

N型外延层，在所述N型外延层形成有多个沟槽；

各所述沟槽为顶部宽底部窄的侧面倾斜结构，在所述沟槽的底部形成有第一P型离子注入区，在所述沟槽中填充有第一P型外延层，由所述第一P型离子注入区和所述第一P型外延层叠加形成P型柱，由各所述P型柱之间的所述N型外延层组成N型柱，由多个交替排列的所述N型柱和所述P型柱组成的超结结构；

所述第一P型离子注入区的掺杂浓度小于所述P型柱中的所述第一P型外延层的掺杂浓度，所述第一P型离子注入区的掺杂浓度小于所述N型外延层的掺杂浓度；所述沟槽的侧面结构使所述第一P型离子注入区位于所述沟槽的底部表面和底部区域的侧面上，使所述第一P型离子注入区从底部表面和底部区域的侧面包覆所述P型柱中的所述第一P型外延层的底部区域，使所述P型柱的底部区域的P型杂质总量由所述第一P型离子注入区的P型杂质总量和所述P型柱的底部区域中的所述第一P型外延层的P型杂质总量的和，从而能增加所述P型柱的底部区域的P型杂质总量，补偿侧面倾斜的所述沟槽带来的所述P型柱和所述N型柱之间的电荷失配从而提高所述P型柱和所述N型柱之间的电荷平衡，提高所述超结结构的纵向耐压能力；

在所述超结结构的中间位置处，所述P型柱的P型杂质总量和所述N型柱的N型杂质总量相等；

在所述超结结构的顶部表面处，所述N型柱的N型杂质总量小于所述P型柱的P型杂质总量，在所述终端区，通过降低所述超结结构的顶部表面处的所述N型柱的N型杂质总量，提高所述终端区中对所述N型柱的表面的耗尽能力，从而提升所述终端区承受横向电压的能力；

所述超结结构位于所述电流流动区、所述过渡区和所述终端区中；

保护环氧化膜环绕在所述电流流动区的周侧并将所述电流流动区露出以及将所述过渡区全部覆盖，所述保护环氧化膜还延伸到所述终端区表面并将所述终端区全部覆盖或仅将所述终端区的最外周部分露出；

在所述电流流动区中形成JFET区域，所述JFET区域通过以所述保护环氧化膜为自对准条件的全面的第一次N型离子注入形成；所述第一次N型离子注入同时在所述保护环氧化膜覆盖区域之外的所述终端区中或外侧形成终端第一N型注入区。

2.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述沟槽的侧面倾角为85度～89.5度。

3.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述第一P型离子注入区是在所述沟槽形成之后以及所述第一P型外延层填充之前通过离子注入形成，所述第一P型离子注入区的离子注入的杂质为硼，注入能量小于100Kev。

4.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述第一P型离子注入区是在所述沟槽形成之后以及所述第一P型外延层填充之前通过离子注入形成，所述第一P型离子注入区的离子注入的杂质为二氟化硼，注入能量小于300Kev。