[发明专利]LED制造方法及LED、显示屏和电子设备

权利要求书

1.一种用于制造氮化镓基二极管LED显示屏的方法，其特征在于，所述氮化镓基二极管LED显示屏包括多种颜色的LED，每种颜色的LED从下到上包括：氮化镓GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、AlGaN层以及P型掺杂GaN层，其中，所述制造所述LED显示屏的方法包括：

在异质介质上制造缓冲层，其中，所述异质介质是指材料跟所述LED材料不一致的介质；

在所述缓冲层上依次生长所述多种颜色的LED；

在所述缓冲层上依次生长的所述多种颜色的LED中的每种颜色的LED均按照以下方式进行处理，直到按照以下方式生长完所述多种颜色的LED为止：在所述缓冲层上制造掩膜，在所述掩膜上暴露出需要制造被选中颜色的LED的区域，在所述掩膜上暴露出来的区域生长所述被选中颜色的LED，腐蚀掉所述掩膜及杂质；

其中，在所述掩膜上暴露出来的区域生长所述被选中颜色的LED，包括：

在350～500摄氏度温度条件下生长所述GaN层，其中，生长过程中的气压为500～700mBar，V/III为2000～5000，生长速率为3～15nm/min(纳米/分钟)，其中，所述V/III是指5族元素N与3族元素Ga的摩尔比，所述生长速率是指一定时间内生成物质的厚度的增加量；

在450～500摄氏度温度条件下在所述GaN层上生长所述N型掺杂GaN层，其中，生长过程中的气压在200～400mBar，V/III在6000～10000，生长速率在0.5～8um/h(微米/小时)；

在400～500摄氏度温度条件下在所述N型掺杂GaN层上生长所述多量子阱层，其中，生长过程中的气压为200～400mBar，V/III为12000～30000，生长速率为0.5～3um/h；

在400～500度条件下在所述多量子阱层上生长所述AlGaN层，其中，生长过程中的气压为50～300mBar，V/III为2000～5000，生长速率为0.5～2um/h；

在400～500度条件下在所述AlGaN层上生长所述P型掺杂GaN层，其中，生长过程中的气压为200～400mBar，V/III为6000～10000，生长速率为0.5～8um/h。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜为一个带有多个洞的隔离板；

在生长各层时，待生长LED的区域与不需要生长LED的区域通过所述隔离板隔离，其中，所述隔离板中的多个洞的布局与需要生长的LED的布局相同，所述多个洞用于让生长各层所需的化学物质通过，从而形成所述LED的各层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，每一个颜色的LED生长都在与之对应的一个生长设备中进行，每个生产设备中均包括一个所述隔离板。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所有颜色的LED生长都在一个生长设备中进行，所述生长设备通过插拔对应于不同颜色LED的所述隔离板来依次完成不同颜色的LED的生长。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述隔离板材料为不锈钢。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜为暴露有多个洞的带洞掩膜层；

在生长各层时，待生长LED的区域与不需要生长LED的区域通过所述带洞掩膜层隔离，其中，所述带洞掩膜层中的多个洞的布局与需要生长的LED的布局相同，所述多个洞用于让生长各层所需的化学物质通过，从而形成所述LED的各层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在生长所述GaN层之前，在所述缓冲层上制造一层没有洞的无洞掩膜层，再通过光刻法暴露出所述多个洞后形成所述带洞掩膜层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述无洞掩膜层采用采用等离子增强化学气相淀积(plasma-enhanced chemicalvapor deposition，PECVD)方法来制造。