[发明专利]半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆处理装置（1），用于对半导体晶圆（11）进行处理，其特征在于，所述半导体晶圆处理装置包括：

承载台（15），用于承载所述半导体晶圆；

液体供应系统（12），所述液体供应系统包括一液体源（121）及一液体供应管路（122），所述液体供应管路一端与所述液体源相连接，另一端延伸至所述承载台的上方，用于向所述半导体晶圆的表面喷涂处理液；及，

探测传感器（13），包括发射模块（131）和接收模块（132），所述探测传感器位于所述承载台的上方，用于根据所述发射模块发射到所述半导体晶圆表面的发射信号（133）能否被所述接收模块接收到以探测所述半导体晶圆表面处理液的分布情况；通过所述探测传感器（13）的所述发射模块（131）向所述半导体晶圆（11）表面的某个点发射出一个信号，因为干燥的所述半导体晶圆（11）表面为一平整度较高的镜面，如果所述半导体晶圆（11）表面的探测点没有所述处理液（124），则当有光照射到所述半导体晶圆（11）表面时，光会发生镜面反射而被所述接收模块（132）接收到，而如果探测点有所述处理液（124），光会发生漫反射而无法被所述接收模块（132）接收到，因此，根据所述接收模块（132）是否接收到光信号能判断该点是否分布有所述处理液（124）。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述发射模块和接收模块分别位于所述承载台相对两侧的上方。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述发射模块和接收模块位于所述承载台同一侧的上方。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述探测传感器为光电传感器。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述探测传感器为声波传感器。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述液体供应系统还包括喷嘴（123），所述喷嘴位于所述承载台的上方，且与所述液体供应管路延伸至所述承载台上方的一端相连接。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述半导体晶圆处理装置还包括槽体（14），所述槽体包括排液口（141），所述承载台位于所述槽体内底部。

8.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述半导体晶圆处理装置还包括显示装置（16），所述显示装置与所述探测传感器相连接，用于显示所述探测传感器的探测结果。

9.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述半导体晶圆处理装置还包括报警装置（17），所述报警装置与所述探测传感器相连接，用于在所述探测传感器的探测结果异常时发出报警信息。

10.根据权利要求1所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述液体供应系统用于提供由湿法刻蚀液、清洗液与显影液所构成群组其中之一的处理液（124）。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体晶圆处理装置，其特征在于：所述液体供应系统具有对应在所述承载台上的半导体晶圆中心点的处理液喷涂点，所述探测传感器具有投射在所述承载台上的探测点，所述探测点对准所述处理液喷涂点，利用所述探测传感器的接收模块是否接收到来自所述处理液喷涂点的发射信号以判断所述处理液喷涂点是否喷涂有所述处理液。

12.一种半导体晶圆处理方法，其特征在于，所述半导体晶圆处理方法包括如下步骤：

1）提供一半导体晶圆（11）；

2）使用如权利要求1中所述的半导体晶圆处理装置于所述半导体晶圆上表面喷涂处理液（124）并探测所述半导体晶圆表面处理液的分布情况。

13.根据权利要求12所述的半导体晶圆处理方法，其特征在于：若步骤2）中探测到所述半导体晶圆表面处理液分布异常，步骤2）之后还包括重复步骤2）一次或多次的步骤。