[发明专利]一种SiC JBS器件阳极电极的制造方法有效
| 申请号： | 201711091300.5 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109755109B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 史晶晶;李诚瞻;周正东;杨程;刘国友 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic jbs 器件 阳极 电极 制造 方法 | ||
1.一种SiC JBS器件阳极电极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在SiC JBS器件的有源层上沉积一层保护层，进行高温退火，所述有源层包括间隔排列的P型掺杂区和N型掺杂区，以及位于所述有源层两侧的P型保护区；其中，所述保护层为碳膜，所述保护层的厚度为10至40纳米；
对保护层进行光刻和刻蚀，以裸露出所述有源层的P型掺杂区；
在刻蚀后的保护层和裸露出的P型掺杂区上沉积一层第一金属层；
进行第一次退火，使得所述P型掺杂区与其上方的第一金属层之间形成构成欧姆接触的金属硅化物；
去除第一金属层和所述N型掺杂区上方的保护层，以裸露出P型掺杂区上的金属硅化物以及N型掺杂区，并使得剩余的保护层覆盖所述P型保护区；
在P型掺杂区上的金属硅化物以及N型掺杂区上沉积一层第二金属层，作为阳极电极；
进行第二次退火，使得所述N型掺杂区与其上方的第二金属层之间形成肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第二金属层采用与所述第一金属层相同的金属材料构成。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第二金属层采用与所述第一金属层不同的金属材料构成。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的制造方法，其特征在于：采用RIE刻蚀、ICP刻蚀或湿法刻蚀保护层。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的制造方法，其特征在于：采用湿法刻蚀去除第一金属层和保护层。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的制造方法，其特征在于：所述第一次退火所采用的温度为850℃至1000℃。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的制造方法，其特征在于：所述第二次退火所采用的温度为550℃至700℃。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的制造方法，其特征在于：所述第二金属层的材料为镍、钛和铝中的至少一种材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
