[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711091337.8 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108258047B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 门岛胜;藤泽雅彦 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其具备：
SOI衬底，其由支承衬底、形成在所述支承衬底上的埋入绝缘层、和形成在所述埋入绝缘层上的半导体层构成，且形成有元件隔离部，并具有第一有源区域、和通过所述元件隔离部而与所述第一有源区域分离的第二有源区域；
第一外延层，其形成在所述第一有源区域的所述半导体层上；
第二外延层，其形成在所述第二有源区域的所述半导体层上；
第一插塞，其与所述第一外延层连接；和
第二插塞，其与所述第二外延层连接，
所述半导体器件的特征在于，
第一方向上的所述第二有源区域的宽度比所述第一方向上的所述第一有源区域的宽度大，
与所述元件隔离部相接的所述第二外延层的端部的厚度比与所述元件隔离部相接的所述第一外延层的端部的厚度小，
所述元件隔离部与所述第二插塞之间的所述第一方向上的第二最短距离，比所述元件隔离部与所述第一插塞之间的所述第一方向上的第一最短距离大，
在所述第一有源区域内形成有包含栅电极的第一场效应晶体管，
所述第一方向为栅极宽度方向。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二有源区域的所述宽度比250nm大。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二最短距离为60nm以上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二最短距离为90nm以上。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在俯视时，所述第二插塞与所述元件隔离部之间存在所述第二外延层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管为全耗尽型晶体管。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的厚度为5nm以上20nm以下，
所述埋入绝缘层的厚度为5nm以上20nm以下。
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