[发明专利]一种铝衬垫的制造方法在审
| 申请号： | 201711091689.3 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706093A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 吴佳宏;周惟舜;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬垫 制造 方法 | ||
1.一种铝衬垫的制造方法，应用于半导体制造领域，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：采用物理气相沉积法淀积得到铝衬垫；
步骤S2：对所述铝衬垫进行刻蚀；
步骤S3：采用化学气相沉积法淀积一层覆盖层；
步骤S4：通过干法刻蚀工艺对所述覆盖层进行刻蚀；
步骤S5：采用湿法清洗所述覆盖层；
步骤S6：采用等离子体溅射轰击所述铝衬垫的表面以去除氟原子；
步骤S7：采用氧气作为气源对所述铝衬垫进行退火处理以在所述铝衬垫表面形成氧化铝薄膜。
2.根据权利要求1所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，在所述步骤S6前，还包括预处理步骤：
步骤A1：将所述铝衬垫置于惰性气体环境中进行加热处理；
步骤A2：对所述铝衬垫进行退火处理。
3.根据权利要求2所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，所述步骤A1中，进行加热处理的加热温度为150摄氏度至400摄氏度。
4.根据权利要求2所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，所述步骤A1中，所述惰性气体环境为氩气环境。
5.根据权利要求2所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，所述步骤A1中，进行加热预处理的时间是15秒。
6.根据权利要求2所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，所述步骤A2中，进行退火处理的气源为氩气或氦气。
7.根据权利要求2所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，所述步骤A2中，进行退火处理的时间为10秒至100秒。
8.根据权利要求1所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，所述步骤S6中，所述等离子体的溅射功率为100W至1000W，所述等离子体的溅射时间为10秒至500秒。
9.根据权利要求1所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，等离子体为氩离子为惰性气体的等离子体。
10.根据权利要求1所述的铝衬垫的制造方法，其特征在于，所述步骤S7中，进行退火处理的时间为10秒至100秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
