[发明专利]一种发声装置有效
申请号: | 201711092410.3 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN107682793B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 霍亮;刘岩涛 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
主分类号: | H04R9/06 | 分类号: | H04R9/06;H04R9/02 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王昭智;马佑平 |
地址: | 261031 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发声 装置 | ||
本发明公开了一种发声装置,包括壳体、设置在壳体内的振膜,以及两个对称设置在振膜两侧的磁路系统,所述磁路系统包括磁轭以及设置在磁轭上的磁铁,在所述磁铁上还设置有华司;还包括两个对称分布在振膜两侧的音圈,每个音圈的一端连接在振膜上,另一端与对应的磁路系统配合在一起。本发明的发声装置,使得更容易选择与磁路系统匹配的振膜,二者配合在一起可以大大降低发生装置的低频失真以及共振频率f0附近的失真。
技术领域
本发明涉及电声转换领域,更具体地说,涉及一种发声装置。
背景技术
扬声器是电子设备中重要的声学器件,其包括壳体、安装在壳体中振膜、固定连接在振膜上的音圈及磁路系统。其中,音圈位于磁路系统形成的磁间隙中,当音圈在接收到音频信号时,其在磁路系统的作用下带动振膜振动,从而策动周围空气发声,进而实现电能至声能的转换。
这种传统的扬声器结构,当其工作在低频条件时,音圈会产生较大的位移。此时磁路系统对音圈的作用力大大减弱,加上此时振膜劲度系数的影响,会造成较大的低频THD失真。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种发声装置的新技术方案。
根据本发明的第一方面,提供了一种发声装置,包括壳体、设置在壳体内的振膜,以及磁路自检,所述磁路组件包括两个对称设置在振膜两侧的磁路系统,所述磁路系统包括磁轭以及设置在磁轭上的磁铁,在所述磁铁上还设置有华司;还包括两个对称分布在振膜两侧的音圈,每个音圈的一端连接在振膜上,另一端与对应的磁路系统的磁间隙配合在一起。
可选地,所述壳体包括对称分布在振膜两侧的第一壳体、第二壳体,所述振膜夹持在第一壳体、第二壳体之间;且两个磁路系统分别设置在第一壳体、第二壳体上。
可选地,所述每个磁路系统中的磁轭设置有四个,所述四个独立的磁轭围成一矩形结构。
可选地,所述每个磁路系统中的磁轭设置有一个。
可选地,所述磁路系统为单磁路结构或者双磁路结构。
可选地,所述华司与壳体注塑在一起,且所述华司从壳体上露出;所述磁路系统中的磁铁定位安装在华司上。
可选地,所述振膜为平面型振膜。
可选地,在所述振膜上设置有球顶。
可选地,所述球顶设置有两个,贴装在振膜的两侧。
可选地,所述振膜的中心区域设置有镂空,所述球顶设置有一个,其为覆盖在振膜镂空区域的FPCB板;位于振膜两侧的两个音圈中,各有一根引线连接在FPCB板上。
本发明的发声装置,由于采用了两个对称分布在振膜两侧的磁路系统,无论当振膜朝向哪一侧发生较大的位移时,总有一侧的音圈可以深入到磁路系统的磁间隙中;也就是说,即使振膜发生较大的位移,音圈依然可以与磁路系统中磁密度较高的区域配合在一起。采用对称结构的磁路组件,使得整个磁路组件可以具有对称的BL(X),使得更容易选择与其匹配的振膜,二者配合在一起可以大大降低发生装置的低频失真以及共振频率f0附近的失真。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明发声装置的剖面图。
图2是本发明发声装置的部分结构爆炸图。
图3是本发明磁路系统第一种实施结构示意图。
图4是本发明磁路系统第二种实施结构示意图。
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