[发明专利]一种基有低通滤波处理的光控灯信号抗干扰式处理系统

权利要求书

1.一种基有低通滤波处理的光控灯信号抗干扰式处理系统，其特征在于，主要由处理芯片U，三极管VT1，串接处理芯片U的FDBK管脚与三极管VT1的集电极之间的信号偏置校正电路，N极与处理芯片U的FDBK管脚相连接、P极经电阻R6后与处理芯片U的COM管脚相连接的二极管D2，P极经电阻R7后与处理芯片U的VNEG管脚相连接、N极与三极管VT1的基极相连接的二极管D3，与处理芯片U的GNEG管脚相连接的低通滤波电路，串接在低通滤波电路与处理芯片U的VINP管脚之间的差分放大电路，分别与三极管VT1的发射极和处理芯片U相连接的信号发射调理电路，以及与信号发射调理电路相连接的抗电磁波干扰电路组成；所述三极管VT1的集电极与处理芯片U的FDBK管脚相连接；所述抗电磁波干扰电路由场效应管MOS101，场效应管MOS102，放大器P101，正极与场效应管MOS101的漏极相连接、负极接地的极性电容C101，P极与极性电容C101的负极相连接、N极经可调电阻R101后与放大器P101的负极相连接的二极管D101，一端与场效应管MOS101的栅极相连接、另一端与场效应管MOS102的漏极相连接的电感L101，正极经电阻R102后与二极管D101的N极相连接、负极与放大器P101的输出端相连接后接地的极性电容C102，N极与场效应管MOS102的源极相连接、N极经电阻R103后与场效应管MOS102的栅极相连接的二极管D102，一端与二极管D102的P极相连接、另一端与放大器P101的输出端相连接的电感L102，以及一端与场效应管MOS102的栅极相连接、另一端与放大器P101的输出端相连接的电感L103组成；所述场效应管MOS101的漏极与信号发射调理电路相连接，该场效应管MOS101的源极与外部电源相连接；所述场效应管MOS102的栅极还与放大器P101的正极相连接；所述放大器P101的输出端作为抗电磁波干扰电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种基有低通滤波处理的光控灯信号抗干扰式处理系统，其特征在于，所述信号偏置校正电路由三极管VT3，三极管VT4，正极经可调电阻R23后与三极管VT4的基极相连接、负极作为信号偏置校正电路的输入端并与处理芯片U的FDBK管脚相连接的极性电容C15，正极经电阻R20后与极性电容C15的负极相连接、负极接地的极性电容C14，N极可调电阻R25后与三极管VT4的集电极相连接、P极经电阻R22后与极性电容C14的负极相连接的二极管D9，负极与三极管VT3的基极相连接、正极与极性电容C15的负极相连接的极性电容C16，N极与三极管VT3的集电极相连接、P极经电阻R21后与极性电容C16的正极相连接的二极管D7，P极经电阻R26后与三极管VT4的发射极相连接、N极作为信号偏置校正电路的输出端并与三极管VT1的集电极相连接的二极管D8，以及正极经电阻R24后与三极管VT3的集电极相连接、负极经电阻R27后与二极管D8的N极相连接的极性电容C17组成；所述三极管VT3的发射极与可调电阻R23的可调端相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基有低通滤波处理的光控灯信号抗干扰式处理系统，其特征在于，所述差分放大电路由放大器P3，放大器P4，三极管VT2，正极经电阻R13后与放大器P3的正极相连接、负极作为差分放大电路的输入端并与低通滤波电路相连接的极性电容C10，N极与三极管VT2的基极相连接、P极顺次经电感L后与放大器P3的负极相连接的二极管D5，正极电阻R15后与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R14后与放大器P3的负极相连接的极性电容C11，正极经电阻R16后与三极管VT3的发射极相连接、负极与放大器P4的正极相连接的极性电容C12，正极经电阻R17后与放大器P4的正极相连接、负极接地的极性电容C13，以及P极经电阻R18后与放大器P4的负极相连接、N极经电阻R19后与放大器P4的输出端相连接的二极管D6组成；所述极性电容C12的正极与放大器P3的输出端相连接；所述极性电容C11的负极接地；所述二极管D6的P极接地；所述放大器P4的输出端作为差分放大电路输出端并与处理芯片U的VINP管脚相连接。