[发明专利]双层有源层薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.双层有源层薄膜晶体管，其特征在于，包括顺次设置的下述各层：衬底玻璃、绝缘层、P型有机小分子场效应材料层和N型半导体材料层，N型半导体材料层上设置有源极和漏极，

所述N型半导体材料层的材质为F16CuPc，所述P型有机小分子场效应材料层的材质为Pentacene。

2.如权利要求1所述的双层有源层薄膜晶体管，其特征在于，所述P型有机小分子场效应材料层的厚度为20nm～40nm，所述N型半导体材料层的厚度为5nm～15nm。

3.双层有源层薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

1)清洗ITO玻璃衬底；

2)制备PMMA绝缘层：将PMMA溶液旋涂在ITO玻璃衬底上，100℃～120℃条件下退火60min；

3)蒸镀Pentacene有源层:气压低于3×10-4Pa，对Pentacene加热升温至170℃～190℃，以的蒸镀速率形成厚度为20nm～40nm的Pentacene薄膜；

4)蒸镀F16CuPc有源层：加热升温至350℃左右，以的蒸镀速率，在Pentacene有源层上形成厚度为5nm～15nm的F16CuPc薄膜；

5)制备源极和漏极：以Au作为源极和漏极的电极材料，真空蒸镀形成源极和漏极。