[发明专利]一种多层向心取向性纳米纤维人工硬脑膜及其制备方法在审
申请号: | 201711094468.1 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN107875448A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 李瑞锋;王斐;李政委 | 申请(专利权)人: | 李瑞锋 |
主分类号: | A61L27/40 | 分类号: | A61L27/40;A61L27/50;A61L27/18;D01D5/00;D04H1/728 |
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地址: | 723102 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 向心 向性 纳米 纤维 人工 脑膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种多层向心取向性纳米纤维人工硬脑膜,包含三层:面向大脑的内层,背向大脑的外层和两层之间的编织型中间层。
2.根据权利要求1所述的一种多层向心取向性纳米纤维人工硬脑膜,其特征在于,所述内层厚度为80μm±10μm,由静电纺丝工艺制备而成,纤维直径控制在50-1000nm之间,平均孔径为2μm。
3.根据权利要求1所述的一种多层向心取向性纳米纤维人工硬脑膜,其特征在于,所述外层厚度为30μm±10μm,由静电纺丝工艺和取向性电纺丝工艺制备而成,纤维直径控制在5-200μm之间,平均孔径为20-100μm。
4.根据权利要求1所述的一种多层向心取向性纳米纤维人工硬脑膜,其特征在于,所述中间层厚度为80μm±20μm,由两层构成。
5.根据权利要求4所述的中间层,其特征在于,所述中间层从下到上的顺序,第一层为亲水性材料制备的宽度为3mm,长度为1000mm的细条;第二层为疏水性材料制备的宽度为3mm,长度为1000mm的细条。
6.根据权利要求5所述的细条,其特征在于,所述第一层细条,由电纺丝工艺制备成厚度为40μm±10μm薄膜,切制而成;第二层细条,由电纺丝工艺制备成厚度为40μm±10μm薄膜,切制而成。
7.根据权利要求5所述的细条,其特征在于,所述第一层细条,将细条与内层任意侧边平行放置,按照6mm的间距,3mmX1000mm面朝向内层,均匀排满整个内层;第二层细条与第一层细条呈90°角放置,按照6mm的间距,3mmX1000mm面朝向内层,均匀排满整个第一层。
8.根据权利要求3所述的外层,其特征在于, 所述外层,从下到上的顺序,第一层为非取向性纳米纤维层,厚度为20μm±10μm。第二层为取向性纳米纤维层。10μmX10μmX400mm的细条汇聚到直径为φ200mm,厚度为10μm的圆饼的外圆柱面,细条上下底边与圆饼上下底面平行,细条与细条间的夹角均为10°。
9.根据权利要求8所述的外层,其特征在于, 所述外层中的第二层中的圆饼由静电纺丝工艺制备,第二层中的细条由取向性电纺丝工艺制备,细条中的纳米纤维方向与细条长度方向一致。
10.一种制备权利要求1-9中任一项所述的一种多层向心取向性纳米纤维人工硬脑膜的方法,包括下述步骤:
(1) 内层的制备:内层材料成分为聚己内酯,溶解于六氟异丙醇中,纺丝液浓度7%(wt),搅拌4小时,电纺丝参数为流速为0.9 ml/h、电压13kV、接收距离20cm,静电纺丝4h;
(2) 中间层制备。第一层材料为用聚乙醇酸静电纺丝制备的薄膜,薄膜厚度为40μm。
将薄膜制成宽3mm,长1000mm的细条。
将细条与内层任意侧边平行放置,按照6mm的间距,3mmx1000mm面朝向内层,均匀排满整个内层。
第二层材料为聚己内酯,通过静电纺丝制备得到薄膜,薄膜厚度为40μm。
将薄膜制成宽3mm,长1000mm的细条。
将第二层细条与第一层细条夹角呈90°角放置,按照6mm的间距,3mmx1000mm面朝向内层,均匀排满整个第一层细条层。
特别地,上述两层细条放置过程,应该在内层固化之前完成。
最后,用50N的压力对摆放的细条向下挤压,保持1min。
从下到上,第一层材料为聚乙醇酸,溶解于六氟异丙醇中,纺丝液浓度6%(wt),搅拌1小时,电纺参数为:流速1 .4ml/h、电压12kV、接收距离10cm,静电纺丝2h。
从下到上,第二层材料为聚乙醇酸,溶解于六氟异丙醇中,纺丝液浓度6%(wt),搅拌1小时,电纺参数为:流速1 .4ml/h、电压12kV、接收距离10cm,静电纺丝2h。制备直径为φ200mm,厚度为10μm的圆饼。
电纺参数为:流速0 .4ml/h、电压0.9kV、接收距离1mm,取向性静电纺丝工艺制备2h,得到取向性纳米纤维层细条,10μmX10μmX400mm的细条汇聚到直径为φ200mm,厚度为10μm的圆饼的外圆柱面上,细条上下底边与圆饼上下底面平行,细条与细条间的夹角均为10°。
(4) 将制得的人工脑膜从培养皿中取出,用蒸馏水漂洗3遍,经冻干后真空包装,经25kGy钴-60灭菌后-20℃低温保存。
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