[发明专利]微小元件的转移方法在审
申请号: | 201711095632.0 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN109585380A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 张修明;林博文;洪宗泰 | 申请(专利权)人: | 台虹科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
地址: | 中国台湾高雄市前*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微小元件 第一表面 第二表面 激光 照射 接收基板 光罩 黏着 彼此相对 载体基板 黏胶 配置 | ||
本发明提供一种微小元件的转移方法,包括以下步骤。提供具有彼此相对的第一表面与第二表面的载体基板,在第一表面上配置多个微小元件,每一微小元件与第一表面之间以激光解黏胶进行黏着。接着,令接收基板与第一表面相对靠近,并于第二表面上提供光罩。之后,对提供有光罩的第二表面照射激光,以使未照射到激光的微小元件保持黏着于第一表面上,照射到激光的微小元件失去黏着力而转移至接收基板上。
技术领域
本发明涉及一种转移方法,尤其涉及一种微小元件的转移方法。
背景技术
微型发光二极管显示装置(Micro LED Display)具有高亮度、高对比、广视角、长寿命及低耗电等优势,已成为未来显示技术发展的重点。将微型发光二极管(micro LED)晶体直接搬运到驱动背板上的技术称为巨量转移(mass transfer process),而巨量转移技术具有以下困难点。首先,微型发光二极管的尺寸极小(约5μm至10μm),需要更精细化的操作技术。此外,由几十万或几百万颗微型发光二极管才能构成一片面板,而一次转移需要移动几万乃至几十万颗微型发光二极管,数量庞大。
在现有技术中,通常利用机械静电吸取法或黏着胶黏取法进行巨量转移。机械静电吸取法的吸附头及机械手臂较大,无法吸附10μm以下的微型发光二极管,且无法大量转移。黏着胶黏取法具有黏着力不均匀的缺点,在黏着力移除时,黏力下降不稳定,造成良率问题,且由于胶带面积太大,故无法选取特定位置的微型发光二极管。
基于上述,发展出一种能够一次大量转移微型发光二极管的方法,且可适用于微小尺寸(10μm以下)的微型发光二极管,并可选取特定位置的微型发光二极管,为目前所需研究的重要课题。
发明内容
本发明提供一种微小元件的转移方法,主要利用光罩搭配激光解黏胶,能够一次大量转移微型发光二极管,且可适用于微小尺寸(10μm以下)的微型发光二极管,还可在转移过程中选取特定位置的微型发光二极管。
本发明的微小元件的转移方法包括以下步骤。提供具有彼此相对的第一表面与第二表面的载体基板,在第一表面上配置多个微小元件,每一微小元件与第一表面之间以激光解黏胶进行黏着。接着,令接收基板与第一表面相对靠近,并于第二表面上提供光罩。之后,对提供有光罩的第二表面照射激光,以使未照射到激光的微小元件保持黏着于第一表面上,照射到激光的微小元件失去黏着力而转移至接收基板上。
在本发明的一实施例中,微小元件的转移方法还包括在第一表面上涂布激光解黏胶,以使每一微小元件与第一表面之间以激光解黏胶进行黏着。
在本发明的一实施例中,微小元件的转移方法还包括在每一微小元件上涂布激光解黏胶,以使每一微小元件与第一表面之间以激光解黏胶进行黏着。
在本发明的一实施例中,在第一表面上配置的多个微小元件为发出相同色光的微型发光二极管。
在本发明的一实施例中,在第一表面上配置的多个微小元件为发出不同色光的微型发光二极管。
在本发明的一实施例中,载体基板为玻璃基板,接收基板为驱动IC玻璃基板。
在本发明的一实施例中,激光解黏胶的材料包括聚酰亚胺。
在本发明的一实施例中,激光解黏胶在波长为200nm至1064nm的激光照射下失去黏着力。
基于上述,本发明提供一种微小元件的转移方法,将微型发光二极管以激光解黏胶黏着于玻璃上,搭配光罩作用,使得未照射到激光的微型发光二极管保持黏着,照射到激光的微型发光二极管失去黏着力而转移至驱动背板上,因此,能够一次大量转移微型发光二极管,且可适用于微小尺寸(10μm以下)的微型发光二极管,还可在转移过程中选取特定位置的微型发光二极管。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造