[发明专利]背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法

说明书

本发明公开了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法，属于物理建模技术领域。该方法包括：获取背形负花状共轭式断层的基础参数，该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度；基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型；基于该多个物理模拟模型，确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。本发明通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数，进而基于该基础参数和每个预设过程参数构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型，并对构建得到的多个物理模拟模型分别进行分析，以确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。

技术领域

本发明涉及物理建模技术领域，特别涉及一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法。

背景技术

共轭式断层是指两组倾向相反、走向平行或非平行的正断层在剖面上或平面上相互交叉组成的断层。不同的地质条件以及变化状态，均会影响共轭式断层的发育样式，也即是，不同的形成机理导致共轭式断层的发育样式也不相同。比如，共轭式断层可以通过一定的形成机理发育成背形负花状共轭式断层。其中，背形负花状是指一束向上、向外撒开的大多数为正离距的离散的走滑断层或转换伸展断层所限定的，下部呈“向形”，上部呈“背形”的组合样式。由于共轭式断层的不同发育样式影响着油气藏的形成，且在油气藏的形成研究过程中，发现背形负花状共轭式断层对油气藏的形成具有重要意义，因此，亟需一种背形负花状共轭式断层的物理模拟方法，分析确定背形负花状共轭式断层的形成机理，进而确定油气藏的形成。

发明内容

为了解决相关技术中的背形负花状共轭式断层的形成机理，进而确定油气藏的形成问题，本发明实施例提供了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法，所述方法包括：

获取背形负花状共轭式断层的基础参数，所述基础参数包括所述背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及所述背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度；

基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型；

基于所述多个物理模拟模型，确定所述背形负花状共轭式断层的形成机理。

可选地，所述基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型，包括：

基于所述基础参数，按照预设比例构建所述背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒；

构建所述模拟基底地垒对应的模拟装置；

基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型。

可选地，所述模拟装置包括第一上盘和第二上盘，所述基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型，包括：

从所述多个预设过程参数中选择出一个预设过程参数，基于选择的预设过程参数执行以下处理，得到选择的预设过程参数对应的物理模拟模型，直至对所述多个预设过程参数处理完为止：

基于所述选择的预设过程参数包括的模拟盖层的厚度、模拟滑脱层的材料和/或厚度，在所述模拟基底地垒、所述第一上盘和所述第二上盘上铺设模拟滑脱层和多层模拟盖层，每层模拟盖层采用不同颜色进行标记；

基于所述选择的预设过程参数包括的拉伸方式和拉伸量，拉伸所述模拟装置；

基于所述模拟盖层的厚度，在所述多层模拟盖层上继续铺设至少一层模拟盖层，并基于所述拉伸方式和所述拉伸量拉伸所述模拟装置，当所述至少一层模拟盖层的盖层表面呈现背形结构时，得到所述选择的预设过程参数对应的物理模拟模型。