[发明专利]一种封装模块及其形成方法有效
申请号: | 201711097151.3 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN108039324B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 廖小景;侯召政;王军鹤 | 申请(专利权)人: | 西安华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/535 |
代理公司: | 44285 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王仲凯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 710077 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 模块 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装模块的形成方法,其特征在于,包括:
利用第一固定层固定第一导电基板和第二导电基板,形成所述第一导电基板、所述第一固定层和所述第二导电基板依次层叠的层叠结构,所述第一固定层为绝缘固定层;
在所述第二导电基板对应第一预设区域的位置形成第一通孔,对应第二预设区域的位置形成第二通孔;
在所述第一导电基板对应所述第一预设区域的位置形成第三通孔;
去除所述第一固定层位于所述第一通孔和所述第三通孔之间的部分,形成第一腔室,并去除所述第一固定层位于所述第二通孔内的部分;
在所述第一导电基板背离所述第二导电基板一侧形成第一支撑层;
在所述第一腔室内固定第一芯片,并在所述第二通孔内固定第二芯片,其中,所述第一芯片的厚度大于所述第二芯片的厚度,且所述第一芯片和所述第二芯片电绝缘;
去除所述第一支撑层;
在所述第一导电基板背离所述第二导电基板一侧以及所述第二导电基板背离所述第一导电基板一侧形成第一保护层;
在所述第一保护层中形成多个连接孔,并填充所述连接孔,形成多个连接结构,所述连接结构用于与所述第一芯片或所述第二芯片电连接。
2.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,当所述第二芯片包括多个彼此电绝缘的芯片单元时,该方法在去除所述第一固定层位于所述第一通孔和所述第三通孔之间的部分,形成第一腔室,并去除所述第一固定层位于所述第二通孔内的部分之前还包括:
在所述第一导电基板中第三预设区域形成多个第四通孔,所述第四通孔在所述第二芯片上的投影位于相邻所述芯片单元之间的区域。
3.根据权利要求1或2所述的形成方法,其特征在于,该方法在所述第二通孔内固定第二芯片之前还包括:
在所述第二通孔下表面形成第一导电连接层。
4.根据权利要求3所述的形成方法,其特征在于,所述第一导电连接层为金属胶层。
5.根据权利要求3所述的形成方法,其特征在于,当所述第二芯片包括多个彼此电绝缘的芯片单元时,所述第一导电连接层包括多个彼此相互绝缘的第一导电连接区域,所述第一导电连接区域和所述芯片单元一一对应,并与其对应的芯片单元电连接。
6.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,该方法在所述第一导电基板背离所述第二导电基板一侧形成第一支撑层之前还包括:
在所述第二导电基板对应第四预设区域的位置形成第五通孔;
去除所述第一固定层位于所述第五通孔内的部分;
在所述第一导电基板背离所述第二导电基板一侧形成第一支撑层之后还包括:
在所述第五通孔内固定第三芯片,所述第三芯片的厚度不大于所述第五通孔的高度。
7.根据权利要求6所述的形成方法,其特征在于,所述第二芯片正装,所述第三芯片反装;或,所述第二芯片反装,所述第三芯片正装。
8.根据权利要求6所述的形成方法,其特征在于,该方法在所述第五通孔内固定第三芯片之前还包括:
在所述第五通孔下表面形成第二导电连接层。
9.根据权利要求8所述的形成方法,其特征在于,所述第二导电连接层为金属胶层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造